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Trap analysis on GaN HEMT after DC accelerated tests
2009 Stocco, Antonio; Ronchi, Nicolo'; Zanon, Franco; Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio; A., Chini; M., Peroni
Breakdown Walkout induced by reverse bias stress in AlGaN/GaN HEMTs
2009 Stocco, Antonio; Ronchi, Nicolo'; Zanon, Franco; Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio
Reliability analysis of AlGaN/GaN HEMT on SopSiC composite substrate under long-term DC-life test
2009 Ronchi, Nicolo'; Zanon, Franco; Stocco, Antonio; Tazzoli, Augusto; Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio
Correlation between DC and rf degradation due to deep levels in AlGaN/GaN HEMTs
2009 A., Chini; F., Fantini; V., DI LECCE; M., Esposto; Stocco, Antonio; Ronchi, Nicolo'; Zanon, Franco; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Trap related instabilities and localized damages induced by reverse bias”
2009 Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio; Rampazzo, Fabiana; Meneghini, Matteo; Tazzoli, Augusto; Danesin, Francesca; Zanon, Franco; Ronchi, Nicolo'; Stocco, Antonio
Breakdown and High electric Fields in GaN-HEMTs on composite substrates
2009 Zanon, Franco; Meneghesso, Gaudenzio
False Surface Trap Signatures Induced by Buffer Traps in AlGaN/GaN HEMTs
2009 G., Verzellesi; M., Faqir; A., Chini; F., Fantini; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Danesin, Francesca; Zanon, Franco; Rampazzo, Fabiana; Marino, FABIO ALESSIO; A., Cavallini; A., Castaldini
Long-term stability of Gallium Nitride High Electron Mobility Transistors: a reliability physics approach
2009 Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo; Tazzoli, Augusto; Ronchi, Nicolo'; Stocco, Antonio; Zanon, Franco
Anomalous Kink Effect in GaN High Electron Mobility Transistors
2009 Meneghesso, Gaudenzio; Zanon, Franco; Uren, Mj; Zanoni, Enrico
High power performances of GaN HEMT on SopSiC substrate
2008 Zanon, Franco; Danesin, Francesca; Tazzoli, Augusto; G., Montanari; A., Chini; J., Thorpe; C., Gaquiere; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Passivation degradation induced by thermal storage on AlGaN/GaN HEMTs
2008 Danesin, Francesca; Marino, FABIO ALESSIO; Tazzoli, Augusto; Zanon, Franco; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; A., Cetronio; C., Lanzieri; S., Lavanga; M., Peroni; P., Romanini
Electrical characterization and reliability study of HEMTs on composite substrates under high electric fields
2008 Tazzoli, Augusto; Meneghesso, Gaudenzio; Zanon, Franco; Danesin, Francesca; Zanoni, Enrico; Bove, P; Langer, R; Thorpe, J.
Hybrid substrates employment for the development of Gallium Nitride HEMTs: study of reliability and failure modes
2008 Zanon, Franco
Light emission in GaN HEMTs: a powerful characterization and reliability tool
2008 Meneghesso, Gaudenzio; Danesin, Francesca; Rampazzo, Fabiana; Zanon, Franco; Tazzoli, Augusto; Meneghini, Matteo; Zanoni, Enrico
Failure mechanisms of GaN-based transistors in on- and off-state
2008 Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio; G., Verzellesi; Danesin, Francesca; Meneghini, Matteo; Rampazzo, Fabiana; Tazzoli, Augusto; Zanon, Franco
Thermal storage effects on AlGaN/GaN HEMT
2008 Danesin, Francesca; Tazzoli, Augusto; Zanon, Franco; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Cetronio, A; Lanzied, C; Lavanga, S; Peroni, M; Romanini, P.
Reliability aspects of GaN-HEMTs on composite substrates
2008 Zanon, Franco; Danesin, Francesca; Tazzoli, Augusto; Meneghini, Matteo; Ronchi, Nicolo'; A., Chini; P., Bove; Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio
Influence of Device Self-Heating on the Activation Energy Extraction During Current-DLTS Measurement
2008 A., Chini; M., Esposto; M., Bonaiuti; G., Verzellesi; Zanon, Franco; Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio
An investigation of reliability on hybrid substrates GaN-HEMTs
2008 Zanon, Franco; Ronchi, Nicolo'; Danesin, Francesca; P., Bove; R., Langer; J., Thorpe; Stocco, Antonio; Meneghesso, Gaudenzio
Reliability of GaN high-electron-mobility transistors: State of the art and perspectives
2008 Meneghesso, Gaudenzio; Verzellesi, G; Danesin, Francesca; Rampazzo, Fabiana; Zanon, Franco; Tazzoli, Augusto; Meneghini, Matteo; Zanoni, Enrico
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