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Reliability of Gallium Nitride microwave transistors: A framework for the evaluation of failure mechanisms and instabilities, from accelerated testing to failure analysis and process improvement
2016 Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo; Stocco, Antonio; Dalcanale, Stefano; Rampazzo, Fabiana; DE SANTI, Carlo; Rossetto, Isabella
A comprehensive reliability evaluation of high-performance AlGaN/GaN HEMTs for space applications
2016 DE SANTI, Carlo; Dalcanale, Stefano; Stocco, Antonio; Rampazzo, Fabiana; Gerardin, Simone; Meneghini, Matteo; Meneghesso, Gaudenzio; Chini, Alessandro; Verzellesi, Giovanni; Grünenpütt, Jan; Lambert, Benoit; Schauwecker, Bernd; Blanck, Hervé; Barnes, Andrew; Zanoni, Enrico
Performance-Limiting Traps in GaN-Based HEMTs: From Native Defects to Common Impurities
2016 Rossetto, I.; Bisi, D.; De Santi, C.; Stocco, A.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Hot-Electron Degradation of AlGaN/GaN High-Electron Mobility Transistors during RF Operation: Correlation with GaN Buffer Design
2015 Bisi, Davide; Chini, A.; Soci, F.; Stocco, Antonio; Meneghini, Matteo; Pantellini, A.; Nanni, A.; Lanzieri, C.; Gamarra, P.; Lacam, C.; Tordjman, M.; Di Forte Poisson, M. A.; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Reliability and failure physics of GaN HEMT, MIS-HEMT and p-gate HEMTs for power switching applications: Parasitic effects and degradation due to deep level effects and time-dependent breakdown phenomena
2015 Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo; Meneghesso, Gaudenzio; Bisi, Davide; Rossetto, Isabella; Stocco, Antonio
Effects of buffer compensation strategies on the electrical performance and RF reliability of AlGaN/GaN HEMTs
2015 Bisi, D; Stocco, A.; Rossetto, I.; Meneghini, M.; Rampazzo, Fabiana.; Chini, A.; Soci, F.; Pantellini, A.; Lanzieri, C.; Gamarra, P.; Lacam, C.; Tordjman, M.; Di Forte-Poisson, M. -A.; De Salvador, D.; Bazzan, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Novel high-voltage double-pulsed system for GaN-based power HEMTs
2015 Stocco, Antonio; Bisi, Davide; Barbato, Alessandro; Meneghini, Matteo; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Trapping processes related to iron and carbon doping in AlGaN/GaN power HEMTs
2015 Meneghini, Matteo; Bisi, Davide; Rossetto, Isabella; DE SANTI, Carlo; Stocco, Antonio; Hilt, O.; Bahat Treidel, E.; Wuerfl, J.; Rampazzo, Fabiana; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Failure signatures on 0.25 mu m GaN HEMTs for high-power RF applications
2014 Stocco, Antonio; Dalcanale, Stefano; Rampazzo, Fabiana; Meneghini, Matteo; Meneghesso, Gaudenzio; J., Gruenenpuett; B., Lambert; H., Blanck; Zanoni, Enrico
Double Control Gate Field-Effect Transistor for Area Efficient and Cost Effective Applications
2014 Marino, FABIO ALESSIO; Stocco, Antonio; Barbato, Marco; Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio
Buffer Traps in Fe-Doped AlGaN/GaN HEMTs: Investigation of the Physical Properties Based on Pulsed and Transient Measurements
2014 Meneghini, Matteo; Rossetto, Isabella; Bisi, Davide; Stocco, Antonio; Alessandro, Chini; Alessio, Pantellini; Claudio, Lanzieri; Antonio, Nanni; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Role of buffer doping and pre-existing trap states in the current collapse and degradation of AlGaN/GaN HEMTs
2014 Meneghini, Matteo; Rossetto, Isabella; Bisi, Davide; Stocco, Antonio; Cester, Andrea; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; A., Chini; A., Pantellini; C., Lanzieri
Characterization of High-Voltage Charge-Trapping Effects in GaN-based Power HEMTs
2014 Bisi, Davide; Stocco, Antonio; Meneghini, Matteo; Rampazzo, Fabiana; Cester, Andrea; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Parasitic effects of buffer design on static and dynamic parameters of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors
2014 Bisi, Davide; Stocco, Antonio; Rossetto, Isabella; Meneghini, Matteo; Rampazzo, Fabiana; Chini, Alessandro; F., Soci; A., Pantellini; C., Lanzieri; P., Gamarra; C., Lacam; M. A., di Forte Poisson; DE SALVADOR, Davide; Bazzan, Marco; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
High-Voltage Double-Pulsed Measurement System for GaN-based Power HEMTs
2014 Bisi, Davide; Stocco, Antonio; Meneghini, Matteo; Rampazzo, Fabiana; Cester, Andrea; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Physical effects limiting performance and reliability of GaN High Electron Mobility Transistors
2014 Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo; Bisi, Davide; A., Chini; DE SANTI, Carlo; Rampazzo, Fabiana; Rossetto, Isabella; Stocco, Antonio; G., Verzellesi
Simple technique for failure modes detection on high-performances space designed GaN HEMTs
2014 Stocco, Antonio; Dalcanale, Stefano; Rampazzo, Fabiana; Meneghini, Matteo; Meneghesso, Gaudenzio; J., Grünenpütt; B., Lambert; H., Blanck; A., Barnes; Zanoni, Enrico
Reliability improvement of AlGaN/GaN HEMTs for space applications
2014 Dalcanale, Stefano; Stocco, Antonio; Rampazzo, Fabiana; Meneghini, Matteo; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Proton induced trapping effect on space compatible GaN HEMTs
2014 Stocco, Antonio; Gerardin, Simone; Bisi, Davide; Dalcanale, Stefano; Rampazzo, Fabiana; Meneghini, Matteo; Meneghesso, Gaudenzio; J., Gruenenpuett; B., Lambert; H., Blanck; Zanoni, Enrico
Influence of Fluorine-Based Dry Etching on Electrical Parameters of AlGaN/GaN-on-Si High Electron Mobility Transistors
2013 Bisi, Davide; Meneghini, Matteo; Stocco, Antonio; Cibin, Giulia; A., Pantellini; A., Nanni; C., Lanzieri; Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio
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