Sfoglia per Autore
Analysis of threshold voltage instabilities in semi-vertical GaN-on-Si FETs
2020 Mukherjee, K.; Borga, M.; Ruzzarin, M.; De Santi, C.; Stoffels, S.; You, S.; Geens, K.; Liang, H.; Decoutere, S.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Degradation Mechanisms of GaN-Based Vertical Devices: A Review
2020 Meneghini, M.; Fabris, E.; Ruzzarin, M.; De Santi, C.; Nomoto, K.; Hu, Z.; Li, W.; Gao, X.; Jena, D.; Xing, H. G.; Sun, M.; Palacios, T.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Highly stable threshold voltage in GaN nanowire FETs: The advantages of p-GaN channel/Al2O3gate insulator
2020 Ruzzarin, M.; De Santi, C.; Yu, F.; Fatahilah, M. F.; Strempel, K.; Wasisto, H. S.; Waag, A.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Exploration of gate trench module for vertical GaN devices
2020 Ruzzarin, M.; Geens, K.; Borga, M.; Liang, H.; You, S.; Bakeroot, B.; Decoutere, S.; De Santi, C.; Neviani, A.; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Demonstration of UV-Induced Threshold Voltage Instabilities in Vertical GaN Nanowire Array-Based Transistors
2019 Ruzzarin, M.; Meneghini, M.; de Santi, C.; Neviani, A.; Yu, F.; Strempel, K.; Fatahilah, M. F.; Witzigmann, B.; Wasisto, H. S.; Waag, A.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Gate Reliability of p-GaN Gate AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors
2019 Ge, Mei; Ruzzarin, Maria; Chen, Dunjun; Lu, Hai; Yu, Xinxin; Zhou, Jianjun; De Santi, Carlo; Zhang, Rong; Zheng, Youdou; Meneghini, Matteo; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Gate Stability and Robustness of In-Situ Oxide GaN Interlayer Based Vertical Trench MOSFETs (OG-FETs)
2019 Ruzzarin, M.; Borga, M.; Zanoni, E.; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Ji, D.; Li, W.; Chan, S. H.; Agarwal, A.; Gupta, C.; Keller, S.; Mishra, U. K.; Chowdhury, S.
Degradation physics of GaN-based lateral and vertical devices
2019 Meneghini, M.; De Santi, C.; Barbato, A.; Borga, M.; Canato, E.; Chiocchetta, Francesca; Fabris, E.; Masin, F.; Nardo, A.; Rampazzo, F.; Ruzzarin, M.; Tajalli, A.; Barbato, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Reliability and Dynamic Performance of Gallium Nitride-based Devices for Power Applications
2019 De Santi, C.; Meneghini, M.; Barbato, A.; Borga, M.; Canato, E.; Chiocchetta, F.; Fabris, E.; Gao, Z.; Masin, F.; Mukherjee, K.; Nardo, A.; Ruzzarin, M.; Rzin, M.; Tajalli, A.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Degradation of GaN-Based Lateral and Vertical Devices—Challenges and Perspectives
2019 Meneghini, Matteo; DE SANTI, Carlo; Barbato, Alessandro; Borga, Matteo; Canato, Eleonora; Chiocchetta, Francesca; Fabris, Elena; Gao, Zhan; Masin, Fabrizio; Mukherjee, Kalparupa; Nardo, Arianna; Rampazzo, Fabiana; Ruzzarin, Maria; Rzin, Mehdi; Tajalli, Alaleh; Barbato, Marco; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Threshold Voltage Variations in Semi-vertical GaN-on-Si FETs: A Comprehensive Study
2019 Mukherjee, Kalparupa; Borga, Matteo; Ruzzarin, Maria; Stoffels, Steve; Geens, Karen; Liang, Hu; Decoutere, Stefaan; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo
Characterization of charge trapping mechanisms in GaN vertical Fin FETs under positive gate bias
2019 Ruzzarin, M.; De Santi, C.; Chiocchetta, F.; Sun, M.; Palacios, T.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.; Meneghini, M.
Positive and negative threshold voltage instabilities in GaN-based transistors
2018 Meneghesso, G.; Meneghini, M.; De Santi, C.; Ruzzarin, M.; Zanoni, E.
Ring-Gate Reliability of p-GaN gate AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors
2018 Ge, M.; Ruzzarin, M.; Chen, D.; Lu, H.; Yu, X.; Zhou, J.; De Santi, C.; Zhang, R.; Zheng, Y.; Meneghini, M.; Meneghesso, G.
Reliability of GaN-Based Power Devices
2018 Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.; Ruzzarin, M.; Rossetto, I.
Recent Advancements in Power GaN Reliability
2018 De Santi, C.; Meneghini, M.; Borga, M.; Ruzzarin, M.; Canato, E.; Tajalli, A.; Barbato, A.; Fabris, E.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.
Reliability Issues in Lateral and Vertical GaN FETs for Power Electronics
2018 Meneghesso, G.; Meneghini, M.; De Santi, C.; Barbato, A.; Barbato, M.; Borga, M.; Canato, E.; Fabris, E.; Masin, F.; Ruzzarin, M.; Tajalli, A.; Zanoni, E.
Gallium Nitride power devices: challenges and perspectives
2018 Meneghini, M.; Barbato, A.; Borga, M.; Canato, E.; De Santi, C.; Fabris, E.; Rampazzo, F.; Ruzzarin, M.; Tajalli, A.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Study of the stability of GaN-HEMTs with p-type Gate under forward Gate Bias
2018 Ruzzarin, M.; Meneghini, M.; Barbato, A.; Padovan, Valeria; Haeberlen, O.; Silvestri, M.; Detzel, T.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Degradation Mechanisms of GaN HEMTs with p-Type Gate under Forward Gate Bias Overstress
2018 Ruzzarin, M.; Meneghini, M.; Barbato, A.; Padovan, V.; Haeberlen, O.; Silvestri, M.; Detzel, T.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Legenda icone
- file ad accesso aperto
- file disponibili sulla rete interna
- file disponibili agli utenti autorizzati
- file disponibili solo agli amministratori
- file sotto embargo
- nessun file disponibile