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Modeling of TAT-related forward leakage current in InGaN/GaN SQW LEDs based on experimentally-determined defects parameters
2022 Buffolo, M.; Roccato, N.; Piva, Francesco; DE SANTI, Carlo; Haller, C.; Carlin, J. -F.; Grandjean, N.; Tibaldi, A.; Bertazzi, F.; Goano, M.; Verzellesi, G.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Modeling the electrical characteristics of InGaN/GaN LED structures based on experimentally-measured defect characteristics
2021 Roccato, N.; Piva, F.; Santi, C. D.; Brescancin, R.; Mukherjee, K.; Buffolo, M.; Haller, C.; Carlin, J. -F.; Grandjean, N.; Vallone, M.; Tibaldi, A.; Bertazzi, F.; Goano, M.; Verzellesi, G.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
GaN-based power devices: Physics, reliability, and perspectives
2021 Meneghini, M.; De Santi, C.; Abid, I.; Buffolo, M.; Cioni, M.; Khadar, R. A.; Nela, L.; Zagni, N.; Chini, A.; Medjdoub, F.; Meneghesso, G.; Verzellesi, G.; Zanoni, E.; Matioli, E.
Trap Dynamics Model Explaining the RON Stress/Recovery Behavior in Carbon-Doped Power AlGaN/GaN MOS-HEMTs
2020 Zagni, N.; Chini, A.; Puglisi, F. M.; Pavan, P.; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Verzellesi, G.
A novel test methodology for RON and VTH monitoring in GaN HEMTs during switch-mode operation
2017 Iucolano, F.; Parisi, A.; Reina, S.; Meneghesso, G.; Verzellesi, G.; Chini, A.
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