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Schottky Gate Induced Threshold Voltage Instabilities in p-GaN Gate AlGaN/GaN HEMTs
2021 Stockman, A.; Canato, E.; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Moens, P.; Bakeroot, B.
GaN-on-silicon transistors with reduced current collapse and improved blocking voltage by means of local substrate removal
2021 Abid, I.; Canato, E.; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Cheng, K.; Medjdoub, F.
OFF-state trapping phenomena in GaN HEMTs: Interplay between gate trapping, acceptor ionization and positive charge redistribution
2020 Canato, E.; Meneghini, M.; De Santi, C.; Masin, F.; Stockman, A.; Moens, P.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.
Charge Trapping and Stability of E-Mode p-gate GaN HEMTs Under Soft- and Hard- Switching Conditions
2020 Masin, F.; Meneghini, M.; Canato, E.; Barbato, A.; De Santi, C.; Stockman, A.; Banerjee, A.; Moens, P.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.
Positive temperature dependence of time-dependent breakdown of GaN-on-Si E-mode HEMTs under positive gate stress
2019 Masin, Fabrizio; Meneghini, M.; Canato, E.; De Santi, C.; Stockman, A.; Zanoni, E.; Moens, P.; Meneghesso, G.
ESD-failure of E-mode GaN HEMTs: Role of device geometry and charge trapping
2019 Canato, E.; Meneghini, M.; Nardo, A.; Masin, F.; Barbato, A.; Barbato, M.; Stockman, A.; Banerjee, A.; Moens, P.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.
Buffer breakdown in GaN-on-Si HEMTs: A comprehensive study based on a sequential growth experiment
2019 Borga, M.; Meneghini, M.; Benazzi, D.; Canato, E.; Pusche, R.; Derluyn, J.; Abid, I.; Medjdoub, F.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Reliability and Dynamic Performance of Gallium Nitride-based Devices for Power Applications
2019 De Santi, C.; Meneghini, M.; Barbato, A.; Borga, M.; Canato, E.; Chiocchetta, F.; Fabris, E.; Gao, Z.; Masin, F.; Mukherjee, K.; Nardo, A.; Ruzzarin, M.; Rzin, M.; Tajalli, A.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Range Evaluation of Threshold Voltage Instabilities of GaN-on-Si HEMTs with p-GaN Gate
2019 Canato, E.; Masin, F.; Borga, M.; Zanoni, E.; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Stockman, A.; Banerjee, A.; Moens, P.
Degradation of GaN-Based Lateral and Vertical Devices—Challenges and Perspectives
2019 Meneghini, Matteo; DE SANTI, Carlo; Barbato, Alessandro; Borga, Matteo; Canato, Eleonora; Chiocchetta, Francesca; Fabris, Elena; Gao, Zhan; Masin, Fabrizio; Mukherjee, Kalparupa; Nardo, Arianna; Rampazzo, Fabiana; Ruzzarin, Maria; Rzin, Mehdi; Tajalli, Alaleh; Barbato, Marco; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Threshold Voltage Instability Mechanisms in p-GaN Gate AlGaN/GaN HEMTs
2019 Stockman, A.; Canato, E.; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Moens, P.; Bakeroot, B.
Degradation physics of GaN-based lateral and vertical devices
2019 Meneghini, M.; De Santi, C.; Barbato, A.; Borga, M.; Canato, E.; Chiocchetta, Francesca; Fabris, E.; Masin, F.; Nardo, A.; Rampazzo, F.; Ruzzarin, M.; Tajalli, A.; Barbato, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Recent Advancements in Power GaN Reliability
2018 De Santi, C.; Meneghini, M.; Borga, M.; Ruzzarin, M.; Canato, E.; Tajalli, A.; Barbato, A.; Fabris, E.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.
Reliability Issues in Lateral and Vertical GaN FETs for Power Electronics
2018 Meneghesso, G.; Meneghini, M.; De Santi, C.; Barbato, A.; Barbato, M.; Borga, M.; Canato, E.; Fabris, E.; Masin, F.; Ruzzarin, M.; Tajalli, A.; Zanoni, E.
Challenges towards highly reliable GaN power transistors
2018 Meneghini, M.; Barbato, A.; Borga, M.; Canato, E.; De Santi, C.; Fabris, E.; Rampazzo, F.; Tajalli, A.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Gallium Nitride power devices: challenges and perspectives
2018 Meneghini, M.; Barbato, A.; Borga, M.; Canato, E.; De Santi, C.; Fabris, E.; Rampazzo, F.; Ruzzarin, M.; Tajalli, A.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
On the origin of the leakage current in p-gate AlGaN/GaN HEMTs
2018 Stockman, A.; Canato, Eleonora; Tajalli, A.; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Moens, P.; Bakeroot, B.
Impact of sidewall etching on the dynamic performance of GaN-on-Si E-mode transistors
2018 Tajalli, A.; Canato, E.; Nardo, Arianna; Meneghini, M.; Stockman, A.; Moens, P.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.
GaN HEMTs with p-GaN gate: Field-And time-dependent degradation
2017 Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo; Rossetto, Isabella; Canato, Eleonora; Bartholomeus, J.; DE SANTI, Carlo; Trivellin, Nicola; Zanoni, Enrico
Field- and current-driven degradation of GaN-based power HEMTs with p-GaN gate: Dependence on Mg-doping level
2017 Rossetto, I.; Meneghini, M.; Canato, E.; Barbato, M.; Stoffels, S.; Posthuma, N.; Decoutere, S.; Tallarico, A. N.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
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