CHINI, ALESSANDRO
CHINI, ALESSANDRO
2.1 A/mm current density AlGaN/GaN HEMT
2003 Chini, Alessandro; Coffie, R.; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Buttari, Dario; Heikman, S.; Keller, S.; Mishra, U. K.
A novel test methodology for RON and VTH monitoring in GaN HEMTs during switch-mode operation
2017 Iucolano, F.; Parisi, A.; Reina, S.; Meneghesso, G.; Verzellesi, G.; Chini, A.
Characterization and reliability of InP-based HEMTs implemented with different process options
2000 Meneghesso, Gaudenzio; R., Luise; Buttari, Dario; Chini, Alessandro; H., Yokoyama; T., Suemitsu; Zanoni, Enrico
Characterization of GaN based MESFETs by comparing Electroluminescence, Photoionization and Cathodoluminescence spectroscopy
2001 N., Armani; Chini, Alessandro; M., Manfredi; Meneghesso, Gaudenzio; M., Pavesi; V., Grillo; G., Salviati; Zanoni, Enrico
Characterization of GaN-based metal-semiconductor field-effect transistors by comparing Electroluminescence, Photoionization and Cathodoluminescence Spectroscopy
2002 N., Armani; M., Manfredi; M., Pavesi; V., Grillo; G., Salviati; Chini, Alessandro; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Current Collapse in AlGaN/GaN HEMTs
2001 Chini, Alessandro; F., Bruni; Buttari, Dario; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Deep traps related effects in GaN MESFETs grown on sapphire substrate
2000 Chini, Alessandro; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; M., Manfredi; M., Pavesi; B., Boudart; C., Gaquiere
Deep-Level Characterization in 6H-SiC JFETs by Means of Two-Dimensional Device Simulations
2002 G., Verzellesi; Meneghesso, Gaudenzio; Chini, Alessandro; A., Mazzanti; C., Canali; Zanoni, Enrico
Dependence of Impact Ionization and Kink on Surface-Deep-Level Dynamics in AlGaAs/GaAs HFETs
2001 A., Mazzanti; G., Verzellesi; L., Vicini; C., Canali; Chini, Alessandro; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; C., Lanzieri
Diagnosis of trapping phenomena in GaN MESFETs
2000 Meneghesso, Gaudenzio; Chini, Alessandro; Zanoni, Enrico; M., Manfredi; M., Pavesi; B., Boudart; C., Gaquiere
Effects of buffer compensation strategies on the electrical performance and RF reliability of AlGaN/GaN HEMTs
2015 Bisi, D; Stocco, A.; Rossetto, I.; Meneghini, M.; Rampazzo, Fabiana.; Chini, A.; Soci, F.; Pantellini, A.; Lanzieri, C.; Gamarra, P.; Lacam, C.; Tordjman, M.; Di Forte-Poisson, M. -A.; De Salvador, D.; Bazzan, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Effects of Thermal Annealing on Current Degradation in Enhancement Mode Pd gate InAlAs/InGaAs/InP pHEMTs
2011 Y., Lai; K. W., Ian; Bisi, Davide; Chini, Alessandro; M., Missous
Electrostatic discharge and electrical overstress on GaN/InGaN Light Emitting Diodes
2001 Meneghesso, Gaudenzio; Chini, Alessandro; Maschietto, A.; Zanoni, Enrico; Malberti, P.; Ciappa, M.
Experimental/Numerical Investigation on Current Collapse in AlGaN/GaN HEMT's
2002 G., Verzellesi; Pierobon, Roberto; Rampazzo, Fabiana; Meneghesso, Gaudenzio; Chini, Alessandro; Buttari, Dario; U. K., Mishra; C., Canali; Zanoni, Enrico
GaN-based power devices: Physics, reliability, and perspectives
2021 Meneghini, M.; De Santi, C.; Abid, I.; Buffolo, M.; Cioni, M.; Khadar, R. A.; Nela, L.; Zagni, N.; Chini, A.; Medjdoub, F.; Meneghesso, G.; Verzellesi, G.; Zanoni, E.; Matioli, E.
Hole impact Ionization coefficient in (100) oriented In0.53Ga0.47As based on pnp InAlAs/InGaAs HBTs
2000 Buttari, Dario; Chini, Alessandro; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; D., Sawdai; D. PAVLIDIS S. S. H., Hsu
Influence of surface-trap dynamics on impact-ionization and kink phenomena in AlGaAs/GaAs HFETs
2001 A., Mazzanti; G., Verzellesi; C., Canali; Chini, Alessandro; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; C., Lanzieri
Instabilities and degradation in GaN-based devices
2003 Meneghesso, Gaudenzio; G., Verzellesi; Pierobon, Roberto; Rampazzo, Fabiana; Chini, Alessandro; Zanoni, Enrico
Long Term Stability of InGaAs/AlInAs/GaAs Methamorphic HEMTs
2001 Meneghesso, Gaudenzio; Chini, Alessandro; Zanoni, Enrico
Measurements of the InGaAs Hole Impact Ionization Coefficient in InAlAs/InGaAs pnp HBTs
2001 Buttari, Dario; Chini, Alessandro; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Sawdai, D.; Pavlidis, D.; Hsu, S. S. H.