ROSSETTO, ISABELLA
ROSSETTO, ISABELLA
2DEG Retraction and Potential Distribution of GaN-on-Si HEMTs Investigated Through a Floating Gate Terminal
2018 Rossetto, I.; Meneghini, M.; De Santi, C.; Pandey, Sudip; Gajda, M.; Hurkx, G. A. M.; Croon, J.; Šonský, J.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Buffer Traps in Fe-Doped AlGaN/GaN HEMTs: Investigation of the Physical Properties Based on Pulsed and Transient Measurements
2014 Meneghini, Matteo; Rossetto, Isabella; Bisi, Davide; Stocco, Antonio; Alessandro, Chini; Alessio, Pantellini; Claudio, Lanzieri; Antonio, Nanni; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Comparison of the performances of an InAlN/GaN HEMT with a Mo/Au gate or a Ni/Pt/Au gate
2013 Rossetto, Isabella; Rampazzo, Fabiana; Silvestri, Riccardo; Zanandrea, Alberto; C., Dua; S., Delage; M., Oualli; Meneghini, Matteo; Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio
Degradation of AlGaN/GaN HEMT devices: Role of reverse-bias and hot electron stress
2013 Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo; Stocco, Antonio; Bisi, Davide; DE SANTI, Carlo; Rossetto, Isabella; Zanandrea, Alberto; Rampazzo, Fabiana; Zanoni, Enrico
Demonstration of Field- and Power-Dependent ESD Failure in AlGaN/GaN RF HEMTs
2015 Rossetto, Isabella; Meneghini, Matteo; Barbato, Marco; Rampazzo, Fabiana; Marcon, D.; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Effects of buffer compensation strategies on the electrical performance and RF reliability of AlGaN/GaN HEMTs
2015 Bisi, D; Stocco, A.; Rossetto, I.; Meneghini, M.; Rampazzo, Fabiana.; Chini, A.; Soci, F.; Pantellini, A.; Lanzieri, C.; Gamarra, P.; Lacam, C.; Tordjman, M.; Di Forte-Poisson, M. -A.; De Salvador, D.; Bazzan, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
ESD sensitivity of a GaAs MMIC microwave power amplifier
2011 Tazzoli, Augusto; Rossetto, Isabella; Zanoni, Enrico; Dai, Yf; Tomasi, T; Meneghesso, Gaudenzio
Evidence of Hot-Electron Degradation in GaN-based MIS-HEMTs Submitted to High Temperature Constant Source Current Stress
2016 Ruzzarin, Maria; Meneghini, Matteo; Rossetto, Isabella; Van Hove, M.; Stoffels, S.; Wu, T. L.; Decoutere, S.; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Evidence of Hot-Electron Effects during Hard Switching of AlGaN/GaN HEMTs
2017 Rossetto, I.; Meneghini, M.; Tajalli, A.; Dalcanale, S.; De Santi, C.; Moens, P.; Banerjee, A.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.
Evidence of Time-Dependent Vertical Breakdown in GaN-on-Si HEMTs
2017 Borga, Matteo; Meneghini, Matteo; Rossetto, Isabella; Stoffels, Steve; Posthuma, Niels; Van Hove, Marleen; Marcon, Denis; Decoutere, Stefaan; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Extensive Investigation of Time-Dependent Breakdown of GaN-HEMTs Submitted to OFF-State Stress
2015 Meneghini, Matteo; Rossetto, Isabella; Fred, Hurkx; Jan, Šonský; Jeroen, A. Croon; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Field and hot electron-induced degradation in GaN-based power MIS-HEMTs
2017 Tajalli, Alaleh; Meneghini, Matteo; Rossetto, Isabella; Moens, Peter; Banerjee, Abhishek; Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio
Field- and current-driven degradation of GaN-based power HEMTs with p-GaN gate: Dependence on Mg-doping level
2017 Rossetto, I.; Meneghini, M.; Canato, E.; Barbato, M.; Stoffels, S.; Posthuma, N.; Decoutere, S.; Tallarico, A. N.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Field-related failure of GaN-on-Si HEMTs: Dependence on device geometry and passivation
2017 Rossetto, Isabella; Meneghini, Matteo; Pandey, S.; Gajda, M.; Hurkx, G. A. M.; Croon, J. A.; Sonsky, J.; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Gate stability of GaN-Based HEMTs with P-Type Gate
2016 Meneghini, Matteo; Rossetto, Isabella; Rizzato, V.; Stoffels, S.; Van Hove, M.; Posthuma, N.; Wu, T. L.; Marcon, D.; Decoutere, S.; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Impact of gate insulator on the dc and dynamic performance of AlGaN/GaN MIS-HEMTs
2015 Rossetto, Isabella; Meneghini, Matteo; Bisi, Davide; Barbato, Alessandro; Van Hove, M.; Marcon, Daniela; Wu, T. L.; Decoutere, S.; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Impact of proton fluence on DC and trapping characteristics in InAlN/GaN HEMTs
2015 Rossetto, Isabella; Rampazzo, Fabiana; Gerardin, Simone; Meneghini, Matteo; Bagatin, Marta; Zanandrea, Alberto; Dua, C.; di Forte Poisson, M. A.; Aubry, R.; Oualli, M.; Delage, S. L.; Paccagnella, Alessandro; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Indirect techniques for channel temperature estimation of HEMT microwave transistors: Comparison and limits
2012 Rossetto, Isabella; Meneghini, Matteo; T., Tomasi; D., Yufeng; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Influence of different carbon doping on the performance and reliability of InAlN/GaN HEMTs
2014 Rossetto, Isabella; Rampazzo, Fabiana; Meneghini, Matteo; Silvestri, Marco; C., Dua; P., Gamarra; R., Aubry; M. . ., A.; O., Patard; S. L., Delage; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Negative bias-induced threshold voltage instability in GaN-on-Si power HEMTs
2016 Meneghini, Matteo; Rossetto, Isabella; Bisi, Davide; Ruzzarin, Maria; Van Hove, M.; Stoffels, S.; Wu, T. L.; Marcon, D.; Decoutere, S.; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico