RAMPAZZO, FABIANA
RAMPAZZO, FABIANA
Characterization and Analysis of Trap-Related Effects in AlGaN-GaN HEMTs
2007 Faqir, M; Verzellesi, G; Fantini, F; Danesin, Francesca; Rampazzo, Fabiana; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Cavallini, A; Castaldini, A; Labat, N; Dua, C.
Charge trapping in 0.1 μm AlGaN/GaN RF HEMTs: Dependence on barrier properties, voltage and temperature
2021 Chiocchetta, F.; De Santi, C.; Rampazzo, F.; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Comparison of the performances of an InAlN/GaN HEMT with a Mo/Au gate or a Ni/Pt/Au gate
2013 Rossetto, Isabella; Rampazzo, Fabiana; Silvestri, Riccardo; Zanandrea, Alberto; C., Dua; S., Delage; M., Oualli; Meneghini, Matteo; Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio
Current collapse and high-electric-field reliability of unpassivated GaN/AlGaN/GaN HEMTs
2006 Meneghesso, Gaudenzio; Rampazzo, Fabiana; Kordos, P; Verzellesi, G; Zanoni, Enrico
Degradation induced by 2-MeV alpha particles on AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors
2006 Danesin, Francesca; Zanon, Franco; Gerardin, Simone; Rampazzo, Fabiana; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Paccagnella, Alessandro
Degradation mechanism of 0.15 μm AlGaN/GaN HEMTs: effects of hot electrons
2020 Gao, Z.; Rampazzo, F.; Meneghini, M.; De Santi, C.; Chiocchetta, F.; Marcon, D.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Degradation of AlGaN/GaN HEMT devices: Role of reverse-bias and hot electron stress
2013 Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo; Stocco, Antonio; Bisi, Davide; DE SANTI, Carlo; Rossetto, Isabella; Zanandrea, Alberto; Rampazzo, Fabiana; Zanoni, Enrico
Demonstration of Field- and Power-Dependent ESD Failure in AlGaN/GaN RF HEMTs
2015 Rossetto, Isabella; Meneghini, Matteo; Barbato, Marco; Rampazzo, Fabiana; Marcon, D.; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Developments on DC/DC converters for the LHC experiment upgrades
2014 C., Abbate; M., Alderighi; S., Baccaro; G., Busatto; M., Citterio; P., Cova; N., Delmonte; V., De Luca; S., Fiore; Gerardin, Simone; E., Ghisolfi; F., Giuliani; F., Iannuzzo; A., Lanza; S., Latorre; M., Lazzaroni; Meneghesso, Gaudenzio; Paccagnella, Alessandro; F., Rampazzo; M., Riva; A., Sanseverino; R., Silvestri; Spiazzi, Giorgio; F., Velardi; Zanoni, Enrico
Dynamic Behavior of Threshold Voltage and ID–VDS Kink in AlGaN/GaN HEMTs Due to Poole–Frenkel Effect
2023 Gao, Zhan; De Santi, Carlo; Rampazzo, Fabiana; Saro, Marco; Fornasier, Mirko; Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo; Chini, Alessandro; Verzellesi, Giovanni; Zanoni, Enrico
Effects of buffer compensation strategies on the electrical performance and RF reliability of AlGaN/GaN HEMTs
2015 Bisi, D; Stocco, A.; Rossetto, I.; Meneghini, M.; Rampazzo, Fabiana.; Chini, A.; Soci, F.; Pantellini, A.; Lanzieri, C.; Gamarra, P.; Lacam, C.; Tordjman, M.; Di Forte-Poisson, M. -A.; De Salvador, D.; Bazzan, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Electrical and Electroluminescence Characteristics of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors Operated in Sustainable Breakdown Conditions
2013 Meneghini, Matteo; Zanandrea, Alberto; Rampazzo, Fabiana; Stocco, Antonio; Bertin, Marco; Cibin, Giulia; Dionyz, Pogany; Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio
Failure Physics and Reliability of GaN-Based HEMTs for Microwave and Millimeter-Wave Applications: A Review of Consolidated Data and Recent Results
2022 Zanoni, E; Rampazzo, F; De Santi, C; Gao, Z; Sharma, C; Modolo, N; Verzellesi, G; Chini, A; Meneghesso, G; Meneghini, M
Failure signatures on 0.25 mu m GaN HEMTs for high-power RF applications
2014 Stocco, Antonio; Dalcanale, Stefano; Rampazzo, Fabiana; Meneghini, Matteo; Meneghesso, Gaudenzio; J., Gruenenpuett; B., Lambert; H., Blanck; Zanoni, Enrico
Geometric Modeling of Thermal Resistance in GaN HEMTs on Silicon
2020 Gonzalez, B.; De Santi, C.; Rampazzo, F.; Meneghini, M.; Nunez, A.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.
Hot carrier aging degradation phenomena in GaN based MESFETs
2004 Rampazzo, Fabiana; Pierobon, Roberto; Pacetta, Domenico; C., Gaquiere; D., Theron; B., Boudart; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Impact of an AlGaN spike in the buffer in 0.15 μm AlGaN/GaN HEMTs during step stress
2021 Gao, Z.; Rampazzo, F.; Meneghini, M.; Modolo, N.; De Santi, C.; Blanck, H.; Stieglauer, H.; Sommer, D.; Grunenputt, J.; Kordina, O.; Chen, J. -T.; Jacquet, J. -C.; Lacam, C.; Piotrowicz, S.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Impact of doping and geometry on breakdown voltage of semi-vertical GaN-on-Si MOS capacitors
2022 Favero, D.; De Santi, C.; Mukherjee, K.; Borga, M.; Geens, K.; Chatterjee, U.; Bakeroot, B.; Decoutere, S.; Rampazzo, F.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Impact of high-temperature operating lifetime tests on the stability of 0.15 μm AlGaN/GaN HEMTs: a temperature-dependent analysis
2023 Pilati, M.; Buffolo, M.; Rampazzo, F.; Lambert, B.; Sommer, D.; Grünenpütt, J.; De Santi, C.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Impact of proton fluence on DC and trapping characteristics in InAlN/GaN HEMTs
2015 Rossetto, Isabella; Rampazzo, Fabiana; Gerardin, Simone; Meneghini, Matteo; Bagatin, Marta; Zanandrea, Alberto; Dua, C.; di Forte Poisson, M. A.; Aubry, R.; Oualli, M.; Delage, S. L.; Paccagnella, Alessandro; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico