CANDELORI, ANDREA
CANDELORI, ANDREA
Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione - DEI
A SPICE model for Si microstrip detectors and read-out electronics
1996 N., Bacchetta; Bisello, Dario; C., Calgarotto; Candelori, Andrea; Paccagnella, Alessandro
A SPICE model of the ohmic side of double-sided Si microstrip detectors
1997 Candelori, Andrea; Paccagnella, Alessandro; F., Bonin; N., Bacchetta; M., Darold; Bisello, Dario
Breakdown of coupling dielectrics for Si microstrip detectors
1999 Candelori, Andrea; Paccagnella, Alessandro; G., Saglimbeni; Bisello, Dario
Breakdown properties of irradiated MOS capacitors
1996 Paccagnella, Alessandro; Candelori, Andrea; A., Milani; E., Formigoni; G., Ghidini; F., Pellizzer; D., Drera; P. G., Fuochi; M., Lavale
Charge collection efficiency of standard and oxygenated silicon microstrip detectors
2002 Stavitski, I.; Rando, Riccardo; Bisello, Dario; Bacchetta, N.; Candelori, Andrea; Wyss, J.; Kaminski, A.
CMS silicon tracker developments
2002 C., Civinini; S., Albergo; M., Angarano; P., Azzi; E., Babucci; N., Bacchetta; A., Bader; G., Bagliesi; A., Basti; U., Biggeri; G. M., Bilei; Bisello, Dario; D., Boemi; F., Bosi; L., Borrello; C., Bozzi; S., Braibant; H., Breuker; M., Bruzzi; A., Buffini; S., Busoni; Candelori, Andrea; A., Caner; R., Castaldi; A., Castro; E., Catacchini; B., Checcucci; P., Ciampolini; D., Creanza; R., D'Alessandro; M. D., Rold; N., Demaria; M. d., Palma; R., Dell'Orso; R. D., Marina; S., Dutta; C., Eklund; L., Feld; L., Fiore; E., Focardi; M., French; K., Freudenreich; A., Frey; A., Furtjes; A., Giassi; M., Giorgi; A., Giraldo; B., Glessing; W. H., Gu; G., Hall; R., Hammarstrom; T., Hebbeker; A., Honma; J., Hrubec; M., Huhtinen; A., Kaminsky; V., Karimaki; S., Koenig; M., Krammer; P., Lariccia; M., Lenzi; M., Loreti; K., Luebelsmeyer; W., Lustermann; P., Mattig; G., Maggi; M., Mannelli; G., Mantovani; A., Marchioro; C., Mariotti; G., Martignon; B. M., Evoy; M., Meschini; A., Messineo; E., Migliore; S., My; Paccagnella, Alessandro; F., Palla; D., Pandoulas; A., Papi; G., Parrini; D., Passeri; M., Pieri; S., Piperov; R., Potenza; V., Radicci; F., Raffaelli; M., Raymond; A., Santocchia; B., Schmitt; G., Selvaggi; L., Servoli; G., Sguazzoni; R., Siedling; L., Silvestris; A., Starodumov; I., Stavitski; G., Stefanini; B., Surrow; P., Tempesta; G., Tonelli; A., Tricomi; T., Tuuva; C., Vannini; P. G., Verdini; G., Viertel; Z., Xie; Y. H., Li; S., Watts; B., Wittmer
Comparative study of < 111 > and < 100 > crystals and capacitance measurements on Si strip detectors in CMS
1999 S., Albergo; M., Angarano; P., Azzi; E., Babucci; N., Bacchetta; A., Bader; G., Bagliesi; A., Basti; U., Biggeri; G. M., Bilei; Bisello, Dario; D., Boemi; F., Bosi; L., Borrello; C., Bozzi; S., Braibant; H., Breuker; M., Bruzzi; A., Buffini; S., Busoni; Candelori, Andrea; A., Caner; R., Castaldi; A., Castro; E., Catacchini; B., Checcucci; P., Ciampolini; C., Civinini; D., Creanza; R., D'Alessandro; M. D., Rold; N., Demaria; M. d., Palma; R., Dell'Orso; R. D., Marina; S., Dutta; C., Eklund; A., Elliott Peisert; L., Feld; L., Fiore; E., Focardi; M., French; K., Freudenreich; A., Furtjes; A., Giassi; M., Giorgi; A., Giraldo; B., Glessing; W. H., Gu; G., Hall; R., Hammerstrom; T., Hebbeker; J., Hrubec; M., Huhtinen; A., Kaminsky; V., Karimaki; S., Koenig; M., Krammer; P., Lariccia; M., Lenzi; M., Loreti; K., Luebelsmeyer; W., Lustermann; P., Mattig; G., Maggi; M., Mannelli; G., Mantovani; A., Marchioro; C., Mariotti; G., Martignon; B. M., Evoy; M., Meschini; A., Messineo; E., Migliore; S., My; Paccagnella, Alessandro; F., Palla; D., Pandoulas; A., Papi; G., Parrini; D., Passeri; M., Pieri; S., Piperov; R., Potenza; V., Radicci; F., Raffaelli; M., Raymond; A., Santocchia; B., Schmitt; G., Selvaggi; L., Servoli; G., Sguazzoni; R., Siedling; L., Silvestris; K., Skog; A., Starodumov; I., Stavitski; G., Stefanini; P., Tempesta; G., Tonelli; A., Tricomi; T., Tuuva; C., Vannini; P. G., Verdini; G., Viertel; Z., Xie; Y. H., Li; S., Watts; B., Wittmer
Defect characterization in silicon particle detectors irradiated with Li ions
2006 Scaringella, M; Menichelli, D; Candelori, Andrea; Rando, Riccardo; Bruzzi, M.
Degradation of electron irradiated MOS capacitors
1999 Candelori, Andrea; Paccagnella, Alessandro; A., Scarpa; G., Ghidini
Development of radiation tolerant semiconductor detectors for the Super-LHC
2005 Moll, M; Adey, J; AL AJILI, A; Alfieri, G; Allport, Pp; Artuso, M; Assouak, S; Avset, Bs; Barabash, L; Barcz, A; Bates, R; Biagi, Sf; Bilei, Gm; Bisello, Dario; Blue, A; Blumenau, A; Boisvert, V; Bolla, G; Bondarenko, G; Borchi, E; Borrello, L; Bortoletto, D; Boscardin, M; Bosisio, L; Bowcock, Tjv; Brodbeck, Tj; Broz, J; Bruzzi, M; Brzozowski, A; Buda, M; Buhmann, P; Buttar, C; Campabadal, F; Campbell, D; Candelori, Andrea; Casse, G; Cavallini, A; Charron, S; Chilingarov, A; Chren, D; Cindro, V; Collins, P; Coluccia, R; Contarato, D; Coutinho, J; Creanza, D; Cunningham, W; DALLA BETTA, Gf; Dawson, I; DE BOER, W; DE PALMA, M; Demina, R; Dervan, P; Dittongo, S; Dolezal, Z; Dolgolenko, A; Eberlein, T; Eremin, V; Fall, C; Fasolo, F; Fizzotti, F; Fleta, C; Focardi, E; Forton, E; Fretwurst, E; Garcia, C; GARCIA NAVARRO, Je; Gaubas, E; Genest, Mh; Gill, Ka; Giolo, Kim; Glaser, M; Goessling, C; Golovine, V; Sevilla, Sg; Gorelov, I; Goss, J; Bates, Ag; Gregoire, G; Gregori, P; Grigoriev, E; Grillo, Aa; Groza, A; Guskov, J; Haddad, L; Harkonen, J; Hauler, F; Hoeferkamp, M; Honniger, F; Horazdovsky, T; Horisberger, R; Horn, M; Houdayer, A; Hourahine, B; Hughes, G; Ilyashenko, I; Irmscher, K; Ivanov, A; Jarasiunas, K; Johansen, Kmh; Jones, Bk; Jones, R; Joram, C; Jungermann, L; Kalinina, E; Kaminski, P; Karpenko, A; Karpov, A; Kazlauskiene, V; Kazukauskas, V; Khivrich, V; Khomenkov, V; Kierstead, J; KLAIBER LODEWIGS, J; Klingenberga, R; Kodys, P; Kohout, Z; Korjenevski, S; Koski, M; Kozlowski, R; Kozodaev, M; Kramberger, G; Krasel, O; Kuznetsov, A; Kwan, S; Lagomarsino, S; LASSILA PERINI, K; Lastovetsky, V; Latino, G; Lazanu, S; Lazanu, I; Lebedev, A; Lebel, C; Leinonen, K; Leroy, C; Li, Z; Lindstrom, G; Linhart, V; Litovchenko, A; Litovchenko, P; LO GIUDICE, A; Lozano, M; Luczynski, Z; Luukka, P; Macchiolo, A; Makarenko, Lf; Mandic, I; Manfredotti, C; Manna, N; MARTI I., GARCIA S; Marunko, S; Mathieson, K; Melone, J; Menichelli, D; Messineo, A; Metcalfe, J; Miglio, S; Mikuz, M; Miyamoto, J; Monakhov, E; Moscatelli, F; Naoumov, D; NOSSARZEWSKA ORLOWSKA, E; Nysten, J; Olivera, P; Oshea, V; Palvialnen, T; Paolini, C; Parkes, C; Passeri, D; Pein, U; Pellegrini, G; Perera, L; Petasecca, K; Piemonte, C; Pignatel, Gu; Pinho, N; Pintilie, I; Pintilie, L; Polivtsev, L; Polozov, P; Popa, A; Popule, J; Pospisil, S; Pozza, A; Radicci, V; Rafi, Jm; Rando, Riccardo; Roeder, R; Rohe, T; Ronchin, S; Rott, C; Roy, A; Ruzin, A; Sadrozinski, Hfw; Sakalauskas, S; Scaringella, M; Schiavulli, L; Schnetzer, S; Schumm, B; Sciortino, S; Scorzoni, A; Segneri, G; Seidel, S; Seiden, A; Sellberg, G; Sellin, P; Sentenac, D; Shipsey, I; Sicho, P; Sloan, T; Solar, M; Son, S; Sopko, B; Sopko, V; Spencer, N; Stahl, J; Stolze, D; Stone, R; Storasta, J; Strokan, N; Sudzius, M; Surma, B; Suvorov, A; Svensson, Bg; Tipton, P; Tomasek, M; Tsvetkov, A; Tuominen, E; Tuovinen, E; Tuuva, T; Tylchin, M; Uebersee, H; Uher, J; Ullan, M; Vaitkus, Jv; Velthuis, J; Verbitskaya, E; Vrba, V; Wagner, G; Wilhelm, I; Worm, S; Wright, V; Wunstorf, R; Yiuri, Y; Zabierowski, P; Zaluzhny, A; Zavrtanik, M; Zen, M; Zhukov, V; Zorzi, N.
Heavy-Ions induced SEE effects measurements for the STRURED ASIC
2011 G., De Robertis; A., Ranieri; A., Gabrielli; Candelori, Andrea; Mattiazzo, Serena; Pantano, Devis; M., Tessaro
High-voltage breakdown studies on Si microstrip detectors
1999 S., Albergo; M. M., Angarano; P., Azzi; E., Babucci; N., Bacchetta; A., Bader; G., Bagliesi; A., Basti; U., Biggeri; G. M., Bilei; Bisello, Dario; D., Boemi; F., Bosi; L., Borrello; C., Bozzi; S., Braibant; H., Breuker; M., Bruzzi; A., Buffini; S., Busoni; G., Calefato; Candelori, Andrea; A., Caner; R., Castaldi; A., Castro; E., Catacchini; B., Checcucci; P., Ciampolini; C., Civinini; D., Creanza; R., D'Alessandro; M. D., Rold; N., Demaria; M. d., Palma; R., Dell'Orso; R. D., Marina; S., Dutta; C., Eklund; A., Elliott Peisert; L., Feld; L., Fiore; E., Focardi; M., French; K., Freudenreich; A., Furtjes; A., Giassi; M., Giorgi; A., Giraldo; B., Glessing; W. H., Gu; G., Hall; R., Hammerstrom; T., Hebbeker; J., Hrubec; M., Huhtinen; A., Kaminsky; V., Karimaki; S., Koenig; M., Krammer; P., Lariccia; M., Lenzi; Loreti, Maurizio; K., Luebelsmeyer; W., Lustermann; P., Mattig; G., Maggi; M., Mannelli; G., Mantovani; A., Marchioro; C., Mariotti; G., Martignon; B. M., Evoy; M., Meschini; A., Messineo; S., My; Paccagnella, Alessandro; F., Palla; D., Pandoulas; A., Papi; G., Parrini; D., Passeri; M., Pieri; S., Piperov; R., Potenza; V., Radicci; F., Raffaelli; M., Raymond; A., Santocchia; B., Schmitt; G., Selvaggi; L., Servoli; G., Sguazzoni; R., Siedling; L., Silvestris; K., Skog; A., Starodumov; I., Stavitski; G., Stefanini; P., Tempesta; G., Tonelli; A., Tricomi; T., Tuuva; C., Vannini; P. G., Verdini; G., Viertel; Z., Xie; Y. H., Li; S., Watts; B., Wittmer
High-voltage operation of silicon devices for LHC experiments
1998 N., Bacchetta; Bisello, Dario; Candelori, Andrea; M., Cavone; G. F., Dalla; M. D., Rold; G. D., Liso; R., Dell'Orso; P. G., Fuochi; A., Messineo; A., Mihul; O., Militaru; Paccagnella, Alessandro; G., Tonelli; P. G., Verdini; G., Verzellesi; R., Wheadon
HSPICE simulations of Si microstrip detectors
1998 N., Bacchetta; Bisello, Dario; Candelori, Andrea; M. D., Rold; F., Nardi; Paccagnella, Alessandro
Improvement in breakdown characteristics with multiguard structures in microstrip detectors for CMS
2001 N., Bacchetta; Bisello, Dario; Candelori, Andrea; M., Da Rold; M., Descovich; A., Kaminski; A., Messineo; F., Rizzo; G., Verzellesi
Ion electron emission microscopy at SIRAD
2005 Bisello, Dario; Candelori, Andrea; Giubilato, Piero; A., Kaminsky; Mattiazzo, Serena; Nigro, Massimo; Pantano, Devis; Rando, Riccardo; M., Tessaro; J., Wyss; S., Bertazzoni; D., DI GIOVENALE
Irradiation effects on thin epitaxial silicon detectors.
2006 V., Khomenkov; Bisello, Dario; M., Bruzzi; Candelori, Andrea; A., Litovchenko; C., Piemonte; Rando, Riccardo; F., Ravotti; N., Zorzi
Latest results of SEE measurements obtained by the STRURED demonstrator ASIC
2011 Candelori, Andrea; G., De Robertis; A., Gabrielli; Mattiazzo, Serena; Pantano, Devis; A., Ranieri; M., Tessaro
Lithium ion irradiation effects on epitaxial silicon detectors
2004 Candelori, Andrea; Schramm, A; Bisello, Dario; Contarato, D; Fretwurst, E; Lindstrom, G; Rando, Riccardo; Wyss, J.
Lithium ion irradiation of standard and oxygenated silicon diodes
2004 Candelori, Andrea; Bisello, Dario; DALLA BETTA, G; Giubilato, Piero; Kaminski, A; Litovchenko, A; Lozano, M; Petrie, Jr; Rando, Riccardo; Ullan, M; Wyss, J.