SHARMA, CHANDAN
 Distribuzione geografica
Continente #
NA - Nord America 87
EU - Europa 75
AS - Asia 65
SA - Sud America 1
Totale 228
Nazione #
US - Stati Uniti d'America 85
IT - Italia 47
SG - Singapore 18
IN - India 14
TW - Taiwan 13
CN - Cina 8
HK - Hong Kong 7
FI - Finlandia 6
DE - Germania 5
FR - Francia 5
JP - Giappone 4
GB - Regno Unito 3
BE - Belgio 2
NL - Olanda 2
SE - Svezia 2
AT - Austria 1
BR - Brasile 1
CA - Canada 1
GR - Grecia 1
MX - Messico 1
PK - Pakistan 1
RU - Federazione Russa 1
Totale 228
Città #
Padova 30
Chandler 16
Santa Clara 14
Singapore 10
Fairfield 8
Cambridge 7
Chennai 7
Hsinchu 7
Helsinki 6
Galliate Lombardo 5
Beijing 4
Boardman 4
Delhi 4
Riese Pio X 4
Tokyo 4
Ashburn 3
Hong Kong 3
Ma On Shan 3
Patna 3
Taichung 3
Taipei 3
Toulouse 3
Brussels 2
Des Moines 2
Los Angeles 2
Medford 2
Princeton 2
Seattle 2
Wilmington 2
Central 1
Hounslow 1
Houston 1
Kilburn 1
Lahore 1
Legnago 1
London 1
Manassas 1
Mölndal 1
Nijmegen 1
Nuremberg 1
Ottawa 1
Pacajus 1
Roxbury 1
Woodbridge 1
Totale 180
Nome #
Deep levels effects and on-wafer reliability of 0.15 um InAlN/GaN and InAlGaN/GaN HEMTs with AlGaN backbarrier for RF applications 104
Failure mechanisms of GaN HEMTs for microwave and millimeter-wave applications: From interdiffusion effects to hot-electrons degradation 54
Role of the AlGaN Cap Layer on the Trapping Behaviour of N-Polar GaN MISHEMTs 43
Detrapping Kinetics in N-polar AlGaN/GaN MIS-HEMTs 30
Totale 231
Categoria #
all - tutte 1.350
article - articoli 0
book - libri 0
conference - conferenze 0
curatela - curatele 0
other - altro 0
patent - brevetti 0
selected - selezionate 0
volume - volumi 0
Totale 1.350


Totale Lug Ago Sett Ott Nov Dic Gen Feb Mar Apr Mag Giu
2020/20217 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 7
2021/202238 0 0 0 0 0 4 7 9 3 1 4 10
2022/202344 4 1 1 0 12 7 2 4 5 0 1 7
2023/202470 11 11 9 4 2 9 4 1 1 7 3 8
2024/202572 2 6 6 8 14 12 2 18 4 0 0 0
Totale 231