RZIN, MEHDI
RZIN, MEHDI
Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione - DEI
Investigation into trapping modes and threshold instabilities of state-of-art commercial GaN HEMTs
2019 Mukherjee, K.; De Santi, C.; Rzin, M.; Gao, Z.; Meneghesso, G.; Meneghini, M.; Zanoni, E.
Linearity and robustness evaluation of 150-nm AlN/GaN HEMTs
2019 Rzin, M.; Meneghini, M.; Rampazzo, F.; Zhan, V. G.; De Santi, C.; Kabouche, R.; Zegaoui, M.; Medjdoub, F.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
On-Wafer Fast Evaluation of Failure Mechanism of 0.25-μm AlGaN/GaN HEMTs: Evidence of Sidewall Indiffusion
2020 Rzin, M.; Meneghini, M.; Rampazzo, F.; Zhan, V. G.; Marcon, D.; Grunenputt, J.; Jung, H.; Lambert, B.; Riepe, K.; Blanck, H.; Graff, A.; Altmann, F.; Simon-Najasek, M.; Poppitz, D.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
On-wafer RF stress and trapping kinetics of Fe-doped AlGaN/GaN HEMTs
2018 Rzin, Mehdi; Chini, A.; De Santi, C.; Meneghini, M.; Hugger, A.; Hollmer, M.; Stieglauer, H.; Madel, M.; Splettstößer, J.; Sommer, D.; Grünenpütt, J.; Beilenhoff, K.; Blanck, H.; Chen, J. -T.; Kordina, O.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Reliability comparison of AlGaN/GaN HEMTs with different carbon doping concentration
2019 Gao, Z.; Meneghini, M.; Rampazzo, F.; Rzin, M.; De Santi, C.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.