Transient diffusion effects of Sb and B in Si induced by medium- and high-energy implants of Si/sup +/ and As/sup +/ ions

NAPOLITANI, ENRICO;CARNERA, ALBERTO
1999

1999
Si Front-End Processing - Physics and Technology of Dopant-Defect Interactions
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
Pubblicazioni consigliate

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11577/183016
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus ND
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? ND
social impact