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Titolo Data di pubblicazione Autori Rivista Serie Titolo libro
"Reliability of PtSi-Ti/W-Al Metallization System used in Bipolar Logics"19th International Reliability Physics Symposium 1981 ZANONI, ENRICO + - - 19th International Reliability Physics Symposium
24 Hours Stress Test and Failure Analysis of 0.25 μm AlGaN/GaN HEMTs 2018 M. RzinF. RampazzoM. MeneghiniG. MeneghessoE. Zanoni + - - Proceedings of the 9th Wide Bandgap Semiconductor and Components workshop
A CMOS 0.8um Programmable Charge Pump for the Output Stage of an Impantable Pacemaker 2000 GEROSA, ANDREANEVIANI, ANDREAZANONI, ENRICO + - - -
A compact method for measuring parasitic resistances in bipolar transistors 1993 ZANONI, ENRICO + - - Proceedings of the European Solid State Device Research Conference
A comprehensive reliability evaluation of high-performance AlGaN/GaN HEMTs for space applications 2016 DE SANTI, CARLODALCANALE, STEFANOSTOCCO, ANTONIORAMPAZZO, FABIANAGERARDIN, SIMONEMENEGHINI, MATTEOMENEGHESSO, GAUDENZIOZANONI, ENRICO + - - proc. of the 8th Wide Bandgap Semiconductors and Components Workshop
A Generalized Approach to Determine the Switching Reliability of GaN HEMTs on-Wafer Level 2021 Modolo N.Minetto A.De Santi C.Meneghesso G.Zanoni E.Meneghini M. + - IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM PROCEEDINGS IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings
A new degradation mechanism induced by DX-center in AlGaAs/InGaAs PM-HEMT's 1994 ZANONI, ENRICOMENEGHESSO, GAUDENZIONEVIANI, ANDREA + - - -
A new experimental technique for extracting base resistance and characterizing current crowding phenomena in bipolar transistorsInternational Technical Digest on Electron Devices Meeting 1992 ZANONI, ENRICO + - - International Technical Digest on Electron Devices Meeting
A novel degradation mechanism of AlGaN/GaN/Silicon heterostructures related to the generation of interface traps 2012 MENEGHINI, MATTEOBERTIN, MARCOSTOCCO, ANTONIOMENEGHESSO, GAUDENZIOZANONI, ENRICO + - - IEDM 2012, IEEE International Electron Devices Meeting
A novel high voltage and high speed measurement system for dynamic RON measurements in GaN‐based high mobility transistors (HEMTs) 2016 BARBATO, ALESSANDROROSSETTO, ISABELLABARBATO, MARCOMENEGHINI, MATTEOZANONI, ENRICOMENEGHESSO, GAUDENZIO - - Proc. of 40th WOCSDICE ‐ Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe
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Tipologia
  • 04 CONTRIBUTO IN ATTO DI CONVEGNO 570
  • 04 CONTRIBUTO IN ATTO DI CONVEGNO... 570
Autore
  • MENEGHESSO, GAUDENZIO 529
  • MENEGHINI, MATTEO 398
  • DE SANTI, CARLO 194
  • TRIVELLIN, NICOLA 89
  • BUFFOLO, MATTEO 81
  • RAMPAZZO, FABIANA 80
  • STOCCO, ANTONIO 49
  • TAZZOLI, AUGUSTO 35
  • CARIA, ALESSANDRO 31
  • ROSSETTO, ISABELLA 30
Data di pubblicazione
  • 2020 - 2023 103
  • 2010 - 2019 270
  • 2000 - 2009 132
  • 1990 - 1999 52
  • 1981 - 1989 13
Editore
  • SPIE 32
  • Institute of Electrical and Elect... 29
  • IEEE 21
  • SPIE-INT SOC OPTICAL ENGINEERING 18
  • IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ... 6
  • IEEE Institute of Electrical and ... 4
  • Gaudenzio Meneghesso 3
  • IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ... 3
  • Institute of Physics Publishing 3
  • IEEE / Institute of Electrical an... 2
Rivista
  • PROCEEDINGS OF SPIE, THE INTERNAT... 9
  • IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PH... 5
  • INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE S... 3
  • PROCEEDINGS OF THE EUROPEAN SOLID... 3
  • AIP CONFERENCE PROCEEDINGS 2
  • IEEE MTT-S INTERNATIONAL MICROWAV... 1
  • PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL ... 1
Serie
  • PROCEEDINGS OF SPIE, THE INTERNAT... 32
  • IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PH... 18
  • TECHNICAL DIGEST - INTERNATIONAL ... 3
  • PROCEEDINGS OF THE ... INTERNATIO... 1
Keyword
  • reliability 143
  • HEMT 137
  • Gallium Nitride 128
  • degradation 127
  • light emitting diodes 63
  • Charge Trapping 61
  • InGaN 49
  • Gallium Arsenide 24
  • Reliability 20
  • Electrical and Electronic Enginee... 18
Lingua
  • eng 545
  • ita 8
Accesso al fulltext
  • no fulltext 570