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TitoloData di pubblicazioneAutoriRivistaSerieTitolo libro
1Current collapse associated with surface states in GaN-based HEMT's. Theoretical/experimental investigations2004MENEGHESSO, GAUDENZIO  ; ZANONI, ENRICO  
2Reliability aspects of GaN microwave devices2004MENEGHESSO, GAUDENZIO  ; PIEROBON, ROBERTO  ; RAMPAZZO, FABIANA  ; CHINI, ALESSANDRO  ; ZANONI, ENRICO  
3InP Microelectronics Reliability2000MENEGHESSO, GAUDENZIO  ; ZANONI, ENRICO  
4A new degradation mechanism induced by DX-center in AlGaAs/InGaAs PM-HEMT's1994ZANONI, ENRICO  ; MENEGHESSO, GAUDENZIO  ; NEVIANI, ANDREA  ;
5Reliability of Gallium Nitride High Electron Mobility Transistors: from microwave to power electronics2012ZANONI, ENRICO  ; MENEGHESSO, GAUDENZIO  
6Effects of channel quantization and temperature on off-state and on-state breakdown in composite channel and conventional InP-based HEMTsInternational Electron Devices Meeting. Technical Digest1996MENEGHESSO, GAUDENZIO  ; NEVIANI, ANDREA  ; ZANONI, ENRICO  
7Study of High-Field Degradation Phenomena in GaN-capped AlGaN/GaN HEMTs2006RAMPAZZO, FABIANA  ; MENEGHESSO, GAUDENZIO  ; ZANONI, ENRICO  ;
8Study of Time-Dependent Degradation of Reverse Biased AlGaN/GaN HEMTs2012STOCCO, ANTONIO  ; MENEGHINI, MATTEO  ; BERTIN, MARCO  ; MENEGHESSO, GAUDENZIO  ; ZANONI, ENRICO  
9Study of Low-Temperature Degradation of AlGaAs/InGaAs Pseudomorphic HEMT’s1995MENEGHESSO, GAUDENZIO  ; PACCAGNELLA, ALESSANDRO  ; ZANONI, ENRICO  ;
10Time dependent Degradation of AlGaN/GaN HEMTs2012MENEGHESSO, GAUDENZIO  ; ZANONI, ENRICO  ; MENEGHINI, MATTEO  ; STOCCO, ANTONIO  ; SILVESTRI, RICCARDO  ; BERTIN, MARCO  ; RAMPAZZO, FABIANA  

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