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TitoloData di pubblicazioneAutoriRivistaSerieTitolo libro
1InP Microelectronics Reliability2000MENEGHESSO, GAUDENZIO  ; ZANONI, ENRICO  
2Failure Mechanisms of GaN-based LEDs related with instabilities in Doping Profile and Deep Levels2004MENEGHESSO, GAUDENZIO  ; LEVADA, SIMONE  ; ZANONI, ENRICO  ;
3A new degradation mechanism induced by DX-center in AlGaAs/InGaAs PM-HEMT's1994ZANONI, ENRICO  ; MENEGHESSO, GAUDENZIO  ; NEVIANI, ANDREA  ;
4Study of High-Field Degradation Phenomena in GaN-capped AlGaN/GaN HEMTs2006RAMPAZZO, FABIANA  ; MENEGHESSO, GAUDENZIO  ; ZANONI, ENRICO  ;
5Characterization Issues and ESD Sensitivity of RF-MEMS Switches2006TAZZOLI, AUGUSTO  ; PERETTI, VANNI  ; ZANONI, ENRICO  ; MENEGHESSO, GAUDENZIO  
6Study of Time-Dependent Degradation of Reverse Biased AlGaN/GaN HEMTs2012STOCCO, ANTONIO  ; MENEGHINI, MATTEO  ; BERTIN, MARCO  ; MENEGHESSO, GAUDENZIO  ; ZANONI, ENRICO  
7Time dependent Degradation of AlGaN/GaN HEMTs2012MENEGHESSO, GAUDENZIO  ; ZANONI, ENRICO  ; MENEGHINI, MATTEO  ; STOCCO, ANTONIO  ; SILVESTRI, RICCARDO  ; BERTIN, MARCO  ; RAMPAZZO, FABIANA  
8Degradation of AlGaN/GaN HEMTs below the “critical voltage”: a time-dependent analysis2012MENEGHINI, MATTEO  ; STOCCO, ANTONIO  ; BERTIN, MARCO  ; MENEGHESSO, GAUDENZIO  ; ZANONI, ENRICO  ; DE SANTI, CARLO  The International Conference of Compound Semiconductor Manufacturing Technology CS-MANTECH
9Enhancement and degradation of drain current in pseudomorphic AlGaAs/InGaAs HEMTs induced by hot-electrons1995MENEGHESSO, GAUDENZIO  ; ZANONI, ENRICO  
10Hot Electron stress on unpassivated GaN/AlGaN/GaN HEMTs2005RAMPAZZO, FABIANA  ; MENEGHESSO, GAUDENZIO  ; PIEROBON, ROBERTO  ; TAMIAZZO, GIANLUCA  ; ZANONI, ENRICO  ;

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