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TitoloData di pubblicazioneAutoriRivistaSerieTitolo libro
1Reliability aspects of GaN microwave devices2004MENEGHESSO, GAUDENZIO  ; PIEROBON, ROBERTO  ; RAMPAZZO, FABIANA  ; CHINI, ALESSANDRO  ; ZANONI, ENRICO  
2InP Microelectronics Reliability2000MENEGHESSO, GAUDENZIO  ; ZANONI, ENRICO  
3Failure Mechanisms of GaN-based LEDs related with instabilities in Doping Profile and Deep Levels2004MENEGHESSO, GAUDENZIO  ; LEVADA, SIMONE  ; ZANONI, ENRICO  ;
4A new degradation mechanism induced by DX-center in AlGaAs/InGaAs PM-HEMT's1994ZANONI, ENRICO  ; MENEGHESSO, GAUDENZIO  ; NEVIANI, ANDREA  ;
5Reliability of Gallium Nitride High Electron Mobility Transistors: from microwave to power electronics2012ZANONI, ENRICO  ; MENEGHESSO, GAUDENZIO  
6High-Power LEDs for Solid-State Lighting: Reliability Issues and Degradation Modes2012MENEGHINI, MATTEO  ; TRIVELLIN, NICOLA  ; MENEGHESSO, GAUDENZIO  ; ZANONI, ENRICO  
7Study of High-Field Degradation Phenomena in GaN-capped AlGaN/GaN HEMTs2006RAMPAZZO, FABIANA  ; MENEGHESSO, GAUDENZIO  ; ZANONI, ENRICO  ;
8Characterization Issues and ESD Sensitivity of RF-MEMS Switches2006TAZZOLI, AUGUSTO  ; PERETTI, VANNI  ; ZANONI, ENRICO  ; MENEGHESSO, GAUDENZIO  
9Degradation of AlGaN/GaN HEMTs below the “critical voltage”: a time-dependent analysis2012MENEGHINI, MATTEO  ; STOCCO, ANTONIO  ; BERTIN, MARCO  ; MENEGHESSO, GAUDENZIO  ; ZANONI, ENRICO  ; DE SANTI, CARLO  The International Conference of Compound Semiconductor Manufacturing Technology CS-MANTECH
10Enhancement and degradation of drain current in pseudomorphic AlGaAs/InGaAs HEMTs induced by hot-electrons1995MENEGHESSO, GAUDENZIO  ; ZANONI, ENRICO  

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