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Titolo Data di pubblicazione Autori Rivista Serie Titolo libro
"Electrical Properties, Reliability Issues, and ESD Robustness of InGaN-Based LEDs" in III-Nitride Based Light Emitting Diodes and Applications 2013 MENEGHINI, MATTEOMENEGHESSO, GAUDENZIOZANONI, ENRICO - - Topics in Applied Physics III-Nitride Based Light Emitting Diodes and Applications
"Hot-plugging" of LED modules: Electrical characterization and device degradation 2013 DAL LAGO, MATTEOMENEGHINI, MATTEOTRIVELLIN, NICOLAMENEGHESSO, GAUDENZIOZANONI, ENRICO + MICROELECTRONICS RELIABILITY - -
"Reliability of PtSi-Ti/W-Al Metallization System used in Bipolar Logics"19th International Reliability Physics Symposium 1981 ZANONI, ENRICO + - - 19th International Reliability Physics Symposium
'Hole Redistribution' Model Explaining the Thermally Activated RONStress/Recovery Transients in Carbon-Doped AlGaN/GaN Power MIS-HEMTs 2021 Meneghini M.Meneghesso G.Zanoni E. + IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES - -
2.1 A/mm current density AlGaN/GaN HEMT 2003 CHINI, ALESSANDROMENEGHESSO, GAUDENZIOZANONI, ENRICOBUTTARI, DARIO + ELECTRONICS LETTERS - -
24 Hours Stress Test and Failure Analysis of 0.25 μm AlGaN/GaN HEMTs 2018 M. RzinF. RampazzoM. MeneghiniG. MeneghessoE. Zanoni + - - Proceedings of the 9th Wide Bandgap Semiconductor and Components workshop
2DEG Retraction and Potential Distribution of GaN-on-Si HEMTs Investigated Through a Floating Gate Terminal 2018 Rossetto, I.Meneghini, M.De Santi, C.PANDEY, SUDIPMeneghesso, G.Zanoni, E. + IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES - -
A CMOS 0.8um Programmable Charge Pump for the Output Stage of an Impantable Pacemaker 2000 GEROSA, ANDREANEVIANI, ANDREAZANONI, ENRICO + - - -
A combined electro-optical method for the determination of the recombination parameters in InGaN-based light-emitting diodes 2009 MENEGHINI, MATTEOTRIVELLIN, NICOLAMENEGHESSO, GAUDENZIOZANONI, ENRICO + JOURNAL OF APPLIED PHYSICS - -
A combined Monte Carlo and experimental analysis of light emission phenomena in AlGaAs/GaAs HBTs 1998 NEVIANI, ANDREAZANONI, ENRICO + SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY - -
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Autore
  • MENEGHESSO, GAUDENZIO 968
  • MENEGHINI, MATTEO 755
  • DE SANTI, CARLO 375
  • BUFFOLO, MATTEO 155
  • TRIVELLIN, NICOLA 148
  • RAMPAZZO, FABIANA 119
  • STOCCO, ANTONIO 69
  • ROSSETTO, ISABELLA 61
  • BISI, DAVIDE 56
  • CARIA, ALESSANDRO 56
Data di pubblicazione
  • 2020 - 2024 229
  • 2010 - 2019 490
  • 2000 - 2009 229
  • 1990 - 1999 148
  • 1981 - 1989 58
Editore
  • Institute of Electrical and Elect... 69
  • Elsevier Ltd 52
  • Elsevier 34
  • SPIE 32
  • IEEE 29
  • IEEE / Institute of Electrical an... 25
  • IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ... 23
  • SPIE-INT SOC OPTICAL ENGINEERING 18
  • IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ... 16
  • ELSEVIER 15
Rivista
  • MICROELECTRONICS RELIABILITY 141
  • IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEV... 83
  • IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS 42
  • APPLIED PHYSICS LETTERS 33
  • JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 19
  • IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND M... 16
  • ELECTRONICS LETTERS 15
  • JOURNAL OF PHYSICS D. APPLIED PHY... 10
  • SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY 10
  • MATERIALS 9
Serie
  • PROCEEDINGS OF SPIE, THE INTERNAT... 32
  • IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PH... 18
  • TECHNICAL DIGEST - INTERNATIONAL ... 3
  • PROCEEDINGS OF THE ... INTERNATIO... 1
Keyword
  • reliability 257
  • HEMT 234
  • Gallium Nitride 204
  • degradation 202
  • InGaN 95
  • light emitting diodes 88
  • GaN 86
  • Charge Trapping 75
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  • Electrical and Electronic Enginee... 55
Lingua
  • eng 1097
  • ita 31
Accesso al fulltext
  • no fulltext 1143
  • open 11