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Titolo Data di pubblicazione Autori Rivista Serie Titolo libro
24 Hours Stress Test and Failure Analysis of 0.25 μm AlGaN/GaN HEMTs 2018 M. RzinF. RampazzoM. MeneghiniG. MeneghessoE. Zanoni + - - Proceedings of the 9th Wide Bandgap Semiconductor and Components workshop
46th Workshop on Compound Semiconductor Materials and Devices (WOCSEMMAD 2010) Conference Report 2010 MENEGHESSO, GAUDENZIO + - - WOCSDICE 2010 34rd Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits,
A combined µ-Cathodoluminescence and µ-Photoluminescence Investigation of the Degradation of InGaN/GaN Laser Diodes 2013 MENEGHINI, MATTEOCARRARO, SIMONEVACCARI, SIMONETRIVELLIN, NICOLAMENEGHESSO, GAUDENZIOZANONI, ENRICO + - - 10th International Conference on Nitride Semiconductors (online abstract)
A comprehensive reliability evaluation of high-performance AlGaN/GaN HEMTs for space applications 2016 DE SANTI, CARLODALCANALE, STEFANOSTOCCO, ANTONIORAMPAZZO, FABIANAGERARDIN, SIMONEMENEGHINI, MATTEOMENEGHESSO, GAUDENZIOZANONI, ENRICO + - - proc. of the 8th Wide Bandgap Semiconductors and Components Workshop
A Comprehensive Study of MEMS Behavior under EOS/ESD Events: Breakdown, Dielectric Charging, and Realistic Cures 2010 TAZZOLI, AUGUSTOBARBATO, MARCOMENEGHESSO, GAUDENZIO + - - -
A Discussion of the Susceptibility of a Brokaw Bandgap to EMI 2006 BUSO, SIMONEORIETTI, ENRICOMENEGHESSO, GAUDENZIONEVIANI, ANDREASPIAZZI, GIORGIO + - - Proceedings EMC 2006
A Distributed Electrical Network to Model the Local Shunting in Multicrystalline Silicon Solar Cells 2012 MAGNONE, PAOLOBARBATO, MARCOMENEGHINI, MATTEOGILIBERTO, VALENTINAMENEGHESSO, GAUDENZIO + - - 27th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, EU PVSEC 2012
A Generalized Approach to Determine the Switching Reliability of GaN HEMTs on-Wafer Level 2021 Modolo N.Minetto A.De Santi C.Meneghesso G.Zanoni E.Meneghini M. + - IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM PROCEEDINGS IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings
A new degradation mechanism induced by DX-center in AlGaAs/InGaAs PM-HEMT's 1994 ZANONI, ENRICOMENEGHESSO, GAUDENZIONEVIANI, ANDREA + - - -
A new measurement set-up to investigate the charge trapping phenomena in RF MEMS packaged switches 2013 BARBATO, MARCOGILIBERTO, VALENTINAMENEGHESSO, GAUDENZIO - - 2013 International Conference on Microelectronic Test Structures, ICMTS 2013
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Tipologia
  • 04 CONTRIBUTO IN ATTO DI CONVEGNO 696
  • 04 CONTRIBUTO IN ATTO DI CONVEGNO... 671
  • 04 CONTRIBUTO IN ATTO DI CONVEGNO... 25
Autore
  • ZANONI, ENRICO 548
  • MENEGHINI, MATTEO 429
  • DE SANTI, CARLO 196
  • TRIVELLIN, NICOLA 92
  • BUFFOLO, MATTEO 82
  • RAMPAZZO, FABIANA 82
  • TAZZOLI, AUGUSTO 72
  • STOCCO, ANTONIO 51
  • CESTER, ANDREA 40
  • BISI, DAVIDE 32
Data di pubblicazione
  • 2020 - 2023 107
  • 2010 - 2019 361
  • 2000 - 2009 185
  • 1992 - 1999 43
Editore
  • Institute of Electrical and Elect... 35
  • SPIE 33
  • IEEE 22
  • SPIE-INT SOC OPTICAL ENGINEERING 18
  • IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ... 7
  • IEEE Institute of Electrical and ... 5
  • IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ... 5
  • IEEE / Institute of Electrical an... 4
  • Gaudenzio Meneghesso 3
  • IEEE Computer Society 2
Rivista
  • PROCEEDINGS OF SPIE, THE INTERNAT... 10
  • IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PH... 6
  • PROCEEDINGS OF THE EUROPEAN SOLID... 5
  • AIP CONFERENCE PROCEEDINGS 2
  • PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL ... 1
Serie
  • PROCEEDINGS OF SPIE, THE INTERNAT... 32
  • IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PH... 20
  • TECHNICAL DIGEST - INTERNATIONAL ... 4
  • PROCEEDINGS OF THE ... INTERNATIO... 1
  • PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL ... 1
Keyword
  • reliability 172
  • HEMT 157
  • degradation 153
  • Gallium Nitride 142
  • Charge Trapping 66
  • light emitting diodes 66
  • InGaN 50
  • Electrostatic discharge (ESD) 37
  • MEMS 32
  • Gallium Arsenide 31
Lingua
  • eng 674
  • ita 4
  • jpn 1
Accesso al fulltext
  • no fulltext 695
  • open 1