Evidence of Hot-Electron Degradation in GaN-based MIS-HEMTs Submitted to High Temperature Constant Source Current Stress

RUZZARIN, MARIA;MENEGHINI, MATTEO;ROSSETTO, ISABELLA;MENEGHESSO, GAUDENZIO;ZANONI, ENRICO
2016
2016
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
WOS:000389331100012
2-s2.0-85027056257
01.01 - Articolo in rivista
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