Demonstration of avalanche capability in polarization-doped vertical GaN pn diodes: Study of walkout due to residual carbon concentration

De Santi, C.;Fabris, E.;Meneghesso, G.;Meneghini, M.;Zanoni, E.
2019
2019
Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM
WOS:000459882300089
2-s2.0-85061787529
9781728119878
04.01 - Contributo in atti di convegno
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