Performance-Limiting Traps in GaN-Based HEMTs: From Native Defects to Common Impurities

I. Rossetto;D. Bisi;C. De Santi;A. Stocco;G. Meneghesso;E. Zanoni;M. Meneghini
2016

2016
Power GaN Devices: Materials, Applications and Reliability
978-3-319-43197-0
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
Pubblicazioni consigliate

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11577/3296960
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus ND
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? 11
social impact