Range Evaluation of Threshold Voltage Instabilities of GaN-on-Si HEMTs with p-GaN Gate

Canato E.;Masin F.;Borga M.;Zanoni E.;Meneghini M.;Meneghesso G.;
2019

2019
IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings
978-1-5386-9504-3
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
Pubblicazioni consigliate

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11577/3305180
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus 20
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? 0
social impact