Influence of Gate Length on pBTI in GaN-on-Si E-Mode MOSc-HEMT

Meneghini M.;Meneghesso G.
2019
2019
IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings
WOS:000474762500117
2-s2.0-85066740581
978-1-5386-9504-3
04.01 - Contributo in atti di convegno
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