Gate Stability and Robustness of In-Situ Oxide GaN Interlayer Based Vertical Trench MOSFETs (OG-FETs)

Ruzzarin M.;Borga M.;Zanoni E.;Meneghini M.;Meneghesso G.;
2019
2019
IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings
WOS:000474762500150
2-s2.0-85066738879
978-1-5386-9504-3
04.01 - Contributo in atti di convegno
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