Using the Y-function method, this paper experimentally investigates the effects of total ionizing dose up to 1 Grad on the channel mobility of a commercial 28-nm bulk CMOS process.
Mobility Degradation of 28-nm Bulk MOSFETs Irradiated to Ultrahigh Total Ionizing Doses
Mattiazzo, S;
2018
Abstract
Using the Y-function method, this paper experimentally investigates the effects of total ionizing dose up to 1 Grad on the channel mobility of a commercial 28-nm bulk CMOS process.
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