PACCAGNELLA, ALESSANDRO
PACCAGNELLA, ALESSANDRO
Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione - DEI
1GigaRad TID impact on 28nm HEP analog circuits
2017 Resta, F.; Gerardin, S.; Mattiazzo, S.; Paccagnella, A.; De Matteis, M.; Enz, C.; Baschirotto, A.
1GigaRad TID impact on 28 nm HEP analog circuits
2018 Resta, F.; Gerardin, S.; Mattiazzo, S.; Paccagnella, A.; De Matteis, M.; Enz, C.; Baschirotto, A.
65 nm technology for HEP: Status and perspective
2014 Valerio, Pierpaolo; Barbero, M. B.; Fougeron, D.; Gensolen, F.; Godiot, S.; Menouni, M.; Pangaud, P.; Rozanov, A.; Wang, A.; Bomben, M.; Calderini, G.; Crescioli, F.; Genat, J. F.; Le Dortz, O.; Marchiori, G.; Dzahini, D.; Rarbi, F. E.; Gaglione, R.; Gonella, L.; Hemperek, T.; Huegging, F.; Karagounis, M.; Kishishita, T.; Krueger, H.; Rymaszewski, P.; Wermes, N.; Ciciriello, F.; Corsi, F.; Licciulli, F.; Marzocca, C.; De Robertis, G.; Loddo, F.; Tamma, C.; Andreazza, A.; Liberali, V.; Shojaii, S.; Stabile, A.; Bagatin, Marta; Bisello, Dario; Mattiazzo, Serena; Ding, Lili; Gerardin, Simone; Giubilato, Piero; Neviani, Andrea; Paccagnella, Alessandro; Vogrig, Daniele; Wyss, J.; Bacchetta, N.; De Canio, F.; Gaioni, L.; Nodari, B.; Manghisoni, M.; Re, V.; Traversi, G.; Comotti, D.; Ratti, L.; Vacchi, C.; Beccherle, R.; Bellazzini, R.; Magazzu, G.; Minuti, M.; Morsani, F.; Palla, F.; Fanucci, L.; Rizzi, A.; Saponara, S.; Androsov, K.; Bilei, G. M.; Menichelli, M.; Conti, E.; Marconi, S.; Passeri, D.; Placidi, P.; Della Casa, G.; Demaria, N.; Mazza, G.; Rivetti, A.; Da Rocha Rolo, M. D.; Monteil, E.; Pacher, L.; Gajanana, D.; Gromov, V.; Hessey, N.; Kluit, R.; Zivkovic, V.; Havranek, M.; Janoska, Z.; Marcisovsky, M.; Neue, G.; Tomasek, L.; Kafka, V.; Sicho, P.; Vrba, V.; Vila, I.; Aguirre, M. A.; Muã±oz, F.; Palomo, F. R.; Abbaneo, D.; Christiansen, J.; Dannheim, D.; Dobos, D.; Linssen, L.; Pernegger, H.; Alipour Tehrani, N.; Bell, S.; Prydderch, M. L.; Thomas, S.; Christian, D. C.; Deptuch, G.; Fahim, F.; Hoff, J.; Lipton, R.; Liu, T.; Zimmerman, T.; Garcia Sciveres, M.; Gnani, D.; Mekkaoui, A.; Gorelov, I.; Hoeferkamp, M.; Seidel, S.; Toms, K.; De Witt, J. N.; Grillo, A.
A Heavy-Ion Beam Monitor Based on 3-D NAND Flash Memories
2021 Gerardin, S.; Bagatin, M.; Paccagnella, A.; Beltrami, S.; Costantino, A.; Santin, G.; Pesce, A.; Ferlet-Cavrois, V.; Voss, K.
A Heavy-Ion Detector Based on 3-D NAND Flash Memories
2020 Bagatin, M.; Frost, C.; Gerardin, S.; Paccagnella, A.; Beltrami, S.; Costantino, A.; Poivey, C.; Santin, G.; Ferlet-Cavrois, V.; Cazzaniga, C.
A MODEL OF RADIATION INDUCED LEAKAGE CURRENT (RILC) IN ULTRA-THIN OXIDES
1999 Larcher, L.; Paccagnella, Alessandro; Ceschia, M.; Ghidini, G.
A Multi-Megarad, Radiation Hardened by Design 512 kbit SRAM in CMOS Technology
2010 Calligaro, C; Liberali, V; Stabile, A; Bagatin, Marta; Gerardin, Simone; Paccagnella, Alessandro
A new experimental technique to evaluate the plasma induced damage at wafer level testing
1998 L., Pantisano; Paccagnella, Alessandro; L., Pettarin; A., Scarpa; G., Valentini; L., Baldi; S., Alba
A new hardware/software platform and a new 1/E neutron source for soft error studies: Testing FPGAs at the ISIS facility
2007 Violante, M; Sterpone, L.; Manuzzato, Andrea; Gerardin, Simone; Rech, Paolo; Bagatin, Marta; Paccagnella, Alessandro; Andreani, C.; Gorini, G.; Pietropaolo, A.; Cardarilli, G.; Pontarelli, S.; Frost, C.
A new model of tunnelling current and SILC in ultra-thin oxides
1998 L., Larcher; Paccagnella, Alessandro; A., Scarpa; G., Ghidini
A Novel Approach to Quantum Point Contact for Post Soft Breakdown Conduction
2001 Cester, Andrea; L., Bandiera; J., Sune; Paccagnella, Alessandro; L., Boschiero; G., Ghidini
A plug, print & play inkjet printing and impedance-based biosensing technology operating through a smartphone for clinical diagnostics
2022 Rosati, G.; Urban, M.; Zhao, L.; Yang, Q.; de Carvalho Castro e Silva, C.; Bonaldo, S.; Parolo, C.; Nguyen, E. P.; Ortega, G.; Fornasiero, P.; Paccagnella, A.; Merkoci, A.
A simple and accessible inkjet platform for ultra-short concept-to-prototype sEMG electrodes production
2019 Cisotto, G.; Rosati, G.; Paccagnella, A.
A SPICE model for Si microstrip detectors and read-out electronics
1996 N., Bacchetta; Bisello, Dario; C., Calgarotto; Candelori, Andrea; Paccagnella, Alessandro
A SPICE model of the ohmic side of double-sided Si microstrip detectors
1997 Candelori, Andrea; Paccagnella, Alessandro; F., Bonin; N., Bacchetta; M., Darold; Bisello, Dario
A Statistical Approach to Microdose Induced Degradation in FinFET Devices
2009 Griffoni, Alessio; Gerardin, Simone; Roussel, Pj; Degraeve, R; Meneghesso, Gaudenzio; Paccagnella, Alessandro; Simoen, E; Claeys, C.
A Study on the Short- and Long-Term Effects of X-Ray Exposure on NAND Flash Memories
2011 Gerardin, Simone; Bagatin, Marta; Paccagnella, Alessandro; Visconti, A; Beltrami, S; Bertuccio, M; Czeppel, Lt
Accelerated testing of RF-MEMS contact degradation through radiation sources
2010 Tazzoli, Augusto; Barbato, Marco; Giliberto, Valentina; G., Monaco; Gerardin, Simone; Nicolosi, Piergiorgio; Paccagnella, Alessandro; Meneghesso, Gaudenzio
Accelerated Wear-out of Ultra-thin Gate Oxides After Irradiation
2002 Cester, Andrea; Cimino, S.; Paccagnella, A.; Ghibaudo, G.; Ghidini, G.
Accelerated Wear-out of Ultra-thin Gate Oxides After Irradiation
2003 Cester, Andrea; S., Cimino; Paccagnella, Alessandro; G., Ghibaudo; G., Ghidini; J., Wyss