This paper summarizes reliability problems of GaAs MESFETs due to interdiffusion and electromigration effects of the gate metallization

Failure mechanisms of GaAs power MESFETs due to gate metallization

ZANONI, ENRICO
1986

Abstract

This paper summarizes reliability problems of GaAs MESFETs due to interdiffusion and electromigration effects of the gate metallization
1986
Proceedings of the 16th European Solid State Device Research Conference 86
04.01 - Contributo in atti di convegno
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
Pubblicazioni consigliate

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11577/2514451
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus ND
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? ND
social impact