The BaBar silicon vertex tracker

Bozzi, C.; Carassiti, V.; Cotta Ramusino, A.; Dittongo, S.; Folegani, M.; Piemontese, L.; Abbott, B. K.; Breon, A. B.; Clark, A. R.; Dow, S.; Fan, Q.; Goozen, F.; Hernikl, C.; Karcher, A.; Kerth, L. T.; Kipnis, I.; Luft, P.; Luo, L.; Nyman, M.; Pedrali Noy, M.; Roe, N. A.; Zizka, G.; Barni, D.; Brenna, E.; Defendi, I.; Forti, A.; Giugni, D.; Lanni, F.; Palombo, F.; Vaniev, V.; Leona, A.; Mandelli, E.; Manfredi, P.; Perazzo, A.; Re, V.; Angelini, C.; Batignani, G.; Bettarini, S.; Bondioli, M.; Bosi, F.; Calderini, G.; Carpinelli, M.; Dutra, F.; Forti, F.; Gagliardi, D.; Giorgi, M.; Lusiani, A.; Mammini, P.; Morganti, M.; Morsani, F.; Profeti, A.; Rama, M.; Rizzo, G.; Simi, Gabriele; Triggiani, G.; Vitale, R.; Burchat, P.; Cheng, C.; Kirkby, D.; Meyer, T.; Roat, C.; Bianchi, F.; Daudo, F.; Di Girolamo, B.; Gamba, D.; Giraudo, G.; Grosso, P.; Romero, A.; Smol, A.; Trapani, P.; Zanin, D.; Bosisio, L.; Della Ricca, G.; Lanceri, L.; Pompili, A.; Poropat, P.; Prest, M.; Rastelli, C.; Vallazza, E.; Vuagnin, G.; Hast, C.; Potter, E. P.; Sharma, V.; Burke, S.; Callahan, D.; Campagnari, C.; Dahmes, B.; Eppich, A.; Hale, D.; Hall, K.; Hart, P.; Kuznetsova, N.; Kyre, S.; Levy, S.; Long, O.; May, J.; Richman, J.; Roberts, D.; Witherell, M.; Beringer, J.; Eisner, A.; Frey, A.; Grillo, A.; Grothe, M.; Johnson, R.; Kroeger, W.; Lockman, W.; Rowe, W.; Seiden, A.; Spencer, E.; Turri, M.; Wilder, M.; Charles, E.; Elmer, P.; Nielsen, J.; Orejudos, W.; Scott, I.; Walsh, J.; Zobernig, H.

doi:10.1016/S0168-9002(99)00407-6

The Silicon Vertex Tracker (SVT) for the BaBar experiment at the PEP-II asymmetric B factory is a 5-layer device based on double-sided, AC-coupled silicon strip detectors. It is read out by a custom IC, the AToM chip, that can simultaneously acquire, digitize and transmit data. The main purpose of the SVT is to accurately measure the decay position of the B mesons that are produced, which is essential for extracting CP asymmetries. Here, we report on the SVT design as well as progress on its fabrication and assembly.