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EnglishSilicon diffusion in aluminium thin films was measured using the configuration of in- diffusion from two constant sources in a specimen of finite thickness. An electron microprobe was used to measure the silicon distribution. The data in the temperature range 475–550 C can be interpreted using the diffusion coefficient
| Titolo: | Silicon diffusion in aluminium |
| Autori: | |
| Data di pubblicazione: | 1985 |
| Rivista: | |
| Abstract: | Silicon diffusion in aluminium thin films was measured using the configuration of in- diffusion from two constant sources in a specimen of finite thickness. An electron microprobe was used to measure the silicon distribution. The data in the temperature range 475–550 C can be interpreted using the diffusion coefficient |
| Handle: | http://hdl.handle.net/11577/2932112 |
| Appare nelle tipologie: | 01.01 - Articolo in rivista |
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http://hdl.handle.net/11577/2932112
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