Silicon diffusion in aluminium

PACCAGNELLA, ALESSANDRO; Ottaviani, G.; Fabbri, P.; Ferla, G.; Queirolo, G.

doi:10.1016/0040-6090(85)90073-2

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Silicon diffusion in aluminium thin films was measured using the configuration of in- diffusion from two constant sources in a specimen of finite thickness. An electron microprobe was used to measure the silicon distribution. The data in the temperature range 475–550 C can be interpreted using the diffusion coefficient

Titolo:	Silicon diffusion in aluminium
Autori:	PACCAGNELLA, ALESSANDRO G. Ottaviani P. Fabbri G. Ferla G. Queirolo mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Data di pubblicazione:	1985
Rivista:	THIN SOLID FILMS
Abstract:	Silicon diffusion in aluminium thin films was measured using the configuration of in- diffusion from two constant sources in a specimen of finite thickness. An electron microprobe was used to measure the silicon distribution. The data in the temperature range 475–550 C can be interpreted using the diffusion coefficient
Handle:	http://hdl.handle.net/11577/2932112
Appare nelle tipologie:	01.01 - Articolo in rivista

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