Gate contact degradation of power MESFETs with gold-based gate metallisations is enhanced by local inhomogeneities, such as thermal gradients and border effects.

Gold-based gate-sinking enhanced by inhomogeneities in power MESFETs

PACCAGNELLA, ALESSANDRO
1987

Abstract

Gate contact degradation of power MESFETs with gold-based gate metallisations is enhanced by local inhomogeneities, such as thermal gradients and border effects.
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
Pubblicazioni consigliate

Caricamento pubblicazioni consigliate

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11577/2967700
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus 11
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? 7
social impact