STORTI, RENZO
STORTI, RENZO
Dipartimento di Fisica e Astronomia "Galileo Galilei" - DFA
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Depth profiling of ultrashallow B implants in silicon using a magnetic-sector secondary ion mass spectrometry instrument
2000 Napolitani, Enrico; Carnera, Alberto; Storti, Renzo; Privitera, V; Priolo, F; Mannino, G; Moffatt, S.
Room temperature migration of boron in crystalline silicon
2004 Napolitani, Enrico; DE SALVADOR, Davide; Storti, Renzo; Carnera, Alberto; Mirabella, S; Priolo, F.
Titolo | Data di pubblicazione | Autori | Rivista | Serie | Titolo libro |
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Depth profiling of ultrashallow B implants in silicon using a magnetic-sector secondary ion mass spectrometry instrument | 2000 | NAPOLITANI, ENRICOCARNERA, ALBERTOSTORTI, RENZO + | JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY. B | - | - |
Room temperature migration of boron in crystalline silicon | 2004 | NAPOLITANI, ENRICODE SALVADOR, DAVIDESTORTI, RENZOCARNERA, ALBERTO + | PHYSICAL REVIEW LETTERS | - | - |