This is a tutorial paper describing the evolution of high speed devices based on compound semiconductors from the GaAs MESFET to heterojunction devices such as the High Electron Mobility Transistor (HEMT)or the Heterojunction Bipolar Transistor (HBT)

Dispositivi elettronici ad alta velocità: dal silicio all'arseniuro di gallio

ZANONI, ENRICO;
1986

Abstract

This is a tutorial paper describing the evolution of high speed devices based on compound semiconductors from the GaAs MESFET to heterojunction devices such as the High Electron Mobility Transistor (HEMT)or the Heterojunction Bipolar Transistor (HBT)
1986
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