This is a tutorial paper describing the evolution of high speed devices based on compound semiconductors from the GaAs MESFET to heterojunction devices such as the High Electron Mobility Transistor (HEMT)or the Heterojunction Bipolar Transistor (HBT)
Dispositivi elettronici ad alta velocità: dall'arseniuro di gallio alle eterostrutture
ZANONI, ENRICO;
1987
Abstract
This is a tutorial paper describing the evolution of high speed devices based on compound semiconductors from the GaAs MESFET to heterojunction devices such as the High Electron Mobility Transistor (HEMT)or the Heterojunction Bipolar Transistor (HBT)
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