Comparison of breakdown characteristics of AlGaN/GaN HEMTs in voltage and current controlled mode: electrical and optical characterization / Meneghini, Matteo; G., Cibin; M., Bertin; Carraro, Simone; S., Marconi; M., Marioli; M., la Grassa; Ferretti, Marco; S., Bychikhin; D., Pogany; G., Strasser; Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio. - ELETTRONICO. - (2013), pp. 67-68. ((Intervento presentato al convegno TWHM2013 10th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics tenutosi a Hakodate, Japan nel September 2-5, 2013.
Titolo: | Comparison of breakdown characteristics of AlGaN/GaN HEMTs in voltage and current controlled mode: electrical and optical characterization | |
Autori: | ||
Data di pubblicazione: | 2013 | |
Handle: | http://hdl.handle.net/11577/2751286 | |
Appare nelle tipologie: | 04.01 - Contributo in atti di convegno |
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