MENEGHESSO, GAUDENZIO
MENEGHESSO, GAUDENZIO
Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione - DEI
Addressing the oxide-aperture dependency of the degradation of 845 nm VCSELs for silicon photonics
2025 Buffolo, Matteo; Zenari, Michele; De Santi, Carlo; Rossi, Francesca; Lazzarini, Laura; Roelkens, Günther; Larsson, Anders; Grabowski, Alexander; Gustavsson, Johan; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo
Analysis of extrinsic failure mechanisms of high-power blue, red, and white LEDs for horticulture and street lighting
2025 Caria, Alessandro; Fraccaroli, Riccardo; Pierobon, Giulia; Castellaro, Thomas; Huang, Ambrogio; Magnien, Julien; Rosc, Joerdis; Mura, Giovanna; De Santi, Carlo; Buffolo, Matteo; Trivellin, Nicola; Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo
Changes in the extraction and collection efficiency of GaN-based MQW solar cells under optical step-stress
2025 Nicoletto, M.; Bertin, S.; Caria, A.; Roccato, N.; De Santi, C.; Buffolo, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Comprehensive Analysis of Deep level Effects and in-situ Photoionization in 0.15 $\mu \mathrm{m}$ buffer-free AIGaN/GaN HEMTs for RF applications
2025 Pieri, Francesco De; Fregolent, Manuel; Saro, Marco; Carlotto, Andrea; Boito, Mirco; Santi, Carlo De; Rampazzo, Fabiana; Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo; Zanoni, Enrico
Current Collapse in Buffer-Free GaN-on-SiC Power Transistors: Maxwell-Wagner Effect and Related Model
2025 Cavaliere, Alberto; Modolo, Nicola; Santi, Carlo De; Koller, Christian; Ostermaier, Clemens; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Öberg, Olof; Wang, Qin; Chen, Ding Yuan; Lundskog, Anders; Chen, Jr-Tai; Meneghini, Matteo
Deep Level Effects and Hot-Electron Reliability in Scaled GaN HEMTs
2025 Zanoni, Enrico; Carlotto, Andrea; De Pieri, Francesco; Fregolent, Manuel; Saro, Marco; Rampazzo, Fabiana; De Santi, Carlo; Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo
Defects and reliability of UVC-LEDs
2025 Buffolo, Matteo; Piva, Francesco; Roccato, Nicola; De Santi, Carlo; Wernicke, Tim; Höpfner, Jakob; Marcel Schilling, Marcel; Muhin, Anton; Susilo, Norman; Hauer-Vidal, Daniel; Sulmoni, Luca; Kneissl, Michael; Trivellin, Nicola; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo
Defects in InGaN QW structures: microscopic properties and modeling
2025 Meneghini, Matteo; Nicoletto, Marco; Piva, Francesco; Roccato, Nicola; Caria, Alessandro; Rampazzo, Fabiana; De Santi, Carlo; Buffolo, Matteo; Rossi, Francesca; Mura, Giovanna; Gasparotto, Andrea; Becht, Conny; Kusch, Gunnar; Ji, Yihong; Huang, Xuanqi; Fu, Houqiang; Chen, Hong; Zhao, Yuji; Trivellin, Nicola; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Oliver, Rachel; Grandjean, Nicolas; Schwarz, Ulrich T.
Development of p-channel GaN FETs on extremely-low doped p-GaN with Mg-diffused Ohmic contacts
2025 Fregolent, Manuel; Sarkar, Biplab; Lu, Shun; Wang, Jia; Watanabe, Hirotaka; Woong, Kwon; De Santi, Carlo; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Honda, Yoshio; Amano, Hiroshi; Meneghini, Matteo
Enhanced Gate Reliability of p-GaN/AlGaN/GaN HEMTs Due to Gate Hole Injection and Recombination
2025 Fregolent, Manuel; De Santi, Carlo; Boito, Mirco; Disarò, Michele; Pirani, Alessio; Eloisa Castagna, Maria; Miccoli, Cristina; Pizzo, Giansalvo; Rossetto, Isabella; Cerati, Lorenzo; Iucolano, Ferdinando; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo
Evidence for Avalanche Operation in Sub-Micrometer Power GaN HEMTs with p-GaN Gate
2025 Fraccaroli, Riccardo; Dell'Andrea, Matteo; Fregolent, Manuel; Boito, Mirco; De Santi, Carlo; Meneghesso, Gaudenzio; Canato, Eleonora; Zanoni, Enrico; Rossetto, Isabella; Pirani, Alessio; Pizzo, Giansalvo; Miccoli, Cristina; Russo, Alfio; Castagna, Maria Eloisa; Iucolano, Ferdinando; Meneghini, Matteo
Evidence for double degradation regime in off-state stressed 100 V GaN transistors: From dielectric failure to subthreshold current increase
2025 Fraccaroli, R.; Fregolent, M.; Boito, M.; De Santi, C.; Canato, E.; Rossetto, I.; Castagna, M. E.; Miccoli, C.; Russo, A.; Iucolano, F.; Pirani, A.; Pizzo, G.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Experimental Demonstration of Avalanche operation in lateral normally-off 100 V GaN HEMTs
2025 Fraccaroli, Riccardo; Dell’Andrea, Matteo; Fregolent, Manuel; Boito, Mirco; Rossetto, Isabella; De Santi, Carlo; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Canato, Eleonora; Pirani, Alessio; Pizzo, Giansalvo; Miccoli, Cristina; Russo, Alfio; Eloisa Castagna, Maria; Iucolano, Ferdinando; Meneghini, Matteo
Fe(III)‐Mediated Formation of Cu Nanoinclusions and Local Heterojunctions in CuWO4 Photoanodes
2025 Ostellari, Pietro; Benedoue, Serge; Zamboni, Diego; Basagni, Andrea; Silloni, Sharon; Scattolin, Enrico; Lorenzoni, Matteo; Pilot, Robertino; Fortunati, Ilaria; Lauciello, Simone; Wang, Mengjiao; Prato, Mirko; Ndi, Julius N.; Arcudi, Francesca; Đorđević, Luka; Meneghesso, Gaudenzio; Gross, Silvia; Franco, Lorenzo; Rizzi, Gian‐andrea; Gatti, Teresa; Lamberti, Francesco
Gate leakage mechanisms and their compact modeling in p-GaN gate AlGaN/GaN HEMTs
2025 De Santi, Carlo; Benato, Andrea; Modolo, Nicola; Borga, Matteo; Posthuma, Niels; Bakeroot, Benoit; Decoutere, Stefaan; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo
Hail Damage Investigation in Heterojunction Silicon Photovoltaic Modules: A Real-World Case Study
2025 Nicoletto, M.; Panizzon, D.; Caria, A.; Trivellin, N.; De Santi, C.; Buffolo, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Hotspot analysis on a flexible PV mini-modules based on IBC solar cells
2025 Jakuza, P.; Casu, C.; Piva, F.; Caria, A.; Buffolo, M.; De Santi, C.; Trivellin, N.; Rampino, S.; Pattini, F.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Identification of Boron-related traps via Capacitance Spectroscopy in Diamond Schottky diodes
2025 Biasin, Giacomo; Fregolent, Manuel; Buffolo, Matteo; De Santi, Carlo; Bassaler, Julien; Maurya, Vishwajeet; Letellier, Juliette; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Verzellesi, Giovanni; Chini, Alessandro; Meneghini, Matteo
Impact of drain-source leakage on the dynamic Ron of power HEMTs with p-GaN gate
2025 Longato, S. L.; Favero, D.; Stockman, A.; Nardo, A.; Vanmeerbeek, P.; Tack, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; De Santi, C.; Meneghini, M.
Interface-related VTH shift of SiC MOSFETs during constant current stress extracted from charge pumping measurements
2025 Marcuzzi, A.; Avramenko, M.; De Santi, C.; Moens, P.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.