MENEGHESSO, GAUDENZIO
MENEGHESSO, GAUDENZIO
Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione - DEI
Rapid degradation induced by hot electrons in AlGaAs/GaAs HEMTs
1992 C., Tedesco; C., Canali; Neviani, Andrea; Meneghesso, Gaudenzio; Paccagnella, Alessandro; Zanoni, Enrico
Instabilities induced by DX-center and impact-ionization hole injection in AlGaAs/InGaAs PM-HEMT's
1994 C., Canali; E., De Bortoli; Meneghesso, Gaudenzio; Neviani, Andrea; A. Paccagnella L., Vendrame; Zanoni, Enrico
A new degradation mechanism induced by DX-center in AlGaAs/InGaAs PM-HEMT's
1994 Zanoni, Enrico; E., De Bortoli; Meneghesso, Gaudenzio; Neviani, Andrea; L., Vendrame; A. Paccagnella C., Canali
Low Temperature Instabilities in AlGaAs/InGaAs Pseudomorphic HEMT’s Induced by Trapping/Detrapping Effects
1994 Meneghesso, Gaudenzio; Paccagnella, Alessandro; E., De Bortoli; C., Morico; M., Cenedese; C., Canali; Zanoni, Enrico
Reliability issues due to hot-electron effects in GaAs-based MESFETs and HEMTs
1994 Zanoni, Enrico; C., Tedesco; Neviani, Andrea; Meneghesso, Gaudenzio
A physics-based, accurate spice model of impact-ionization effects in bipolar transistors
1994 Zanoni, Enrico; A., Dal Fabbro; L., Vendrame; G., Verzellesi; Meneghesso, Gaudenzio; P., Pavan; A., Chantre
Hot-electron Induced effects, light emission, breakdown and reliability problems phenomena in GaAs MESFET's AlGaAs/GaAs HEMT's and AlGaAs/InGaAS pseudomorphic HEMT's
1994 Zanoni, Enrico; Neviani, Andrea; Meneghesso, Gaudenzio; E., De Bortoli; L., Vendrame; A., Rizzato
Reliability of power pseudomorphic HEMT’s submitted to termal and hot-electrons tests
1995 D., Sala; W., Kellner; T., Grave; M., Gatti; Meneghesso, Gaudenzio; L., Vendrame; G., Camporese; B., Bortolan; Zanoni, Enrico
On temperature and hot electron induced degradation in AlGaAs/InGaAs PM-HEMT's
1995 Meneghesso, Gaudenzio; E., De Bortoli; P., Cova; R., Menozzi
Failure Mechanism of AlGaAs/InGaAs Pseudomorphic HEMT’s
1995 Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio; E., De Bortoli; L., Vendrame
Recovery of Low Temperature Electron Trapping in AlGaAs/InGaAs PM-HEMTs due to Impact-Ionization
1995 Meneghesso, Gaudenzio; DE BORTOLI, E.; Paccagnella, Alessandro; Zanoni, Enrico; Canali, C.
Study of Low-Temperature Degradation of AlGaAs/InGaAs Pseudomorphic HEMT’s
1995 Meneghesso, Gaudenzio; Y., Haddab; E., De Bortoli; Paccagnella, Alessandro; Zanoni, Enrico; C., Canali
A Study of Hot-Electron Degradation Effects in pseudomorphic HEMT’s
1995 P., Cova; R., Menozzi; F., Fantini; M., Pavesi; Meneghesso, Gaudenzio
Enhancement and degradation of drain current in pseudomorphic AlGaAs/InGaAs HEMTs induced by hot-electrons
1995 C., Canali; P., Cova; E., De Bortoli; F., Fantini; Meneghesso, Gaudenzio; R., Menozzi; Zanoni, Enrico
Turn-On Speed Of Grounded Gate nMOS ESD protection Transistors
1996 Meneghesso, Gaudenzio; J. R. M., Luchies; F., Kuper; A. J., Mouthaan
Drain current DLTS analysis of recoverable and permanent degradation effects in AlGaAs/GaAs and AlGaAs/InGaAs HEMT's
1996 Meneghesso, Gaudenzio; Y., Haddab; N., Perrino; C., Canali; Zanoni, Enrico
Correlation between permanent degradation of GaAs-based HEMT's and current DLTS spectra
1996 Meneghesso, Gaudenzio; Y., Haddab; C., Canali; Zanoni, Enrico
Open channel impact-ionization effects in InP-based HEMT's and their dependence on channel quantization and temperature1996 54th Annual Device Research Conference Digest
1996 Meneghesso, Gaudenzio; M., Matloubian; J., Brown; T., Liu; C., Canali; A., Mion; Neviani, Andrea; Zanoni, Enrico
Trapped Charge Modulation: A New Cause of Instability in AlGaAs/InGaAs Pseudomorphic HEMT's
1996 Meneghesso, Gaudenzio; Canali, C.; Cova, P.; DE BORTOLI, E.; Zanoni, Enrico
Electron bean analysis of the turn-on speed of grounded-gate nMOS EDS protection transistor during Charged-Device-Model (CDM) stress pulses
1996 Meneghesso, Gaudenzio; J. R. M., Luchies; F., Kuper; A. J., Mouthaan