Gaining Insight into Performance- and Reliability-Limiting Phenomena in GaN-Based Heterostructure Field-Effect Transistors by Means of Combined Experimental/Simulation Analysis

Carlo DE SANTI;Gaudenzio MENEGHESSO;Matteo MENEGHINI;Isabella ROSSETTO;Enrico ZANONI
2017

2017
Proceedings of the 9th International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT2017)
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