DE SANTI, CARLO
DE SANTI, CARLO
Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione - DEI
2DEG Retraction and Potential Distribution of GaN-on-Si HEMTs Investigated Through a Floating Gate Terminal
2018 Rossetto, I.; Meneghini, M.; De Santi, C.; Pandey, Sudip; Gajda, M.; Hurkx, G. A. M.; Croon, J.; Šonský, J.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
A comprehensive reliability evaluation of high-performance AlGaN/GaN HEMTs for space applications
2016 DE SANTI, Carlo; Dalcanale, Stefano; Stocco, Antonio; Rampazzo, Fabiana; Gerardin, Simone; Meneghini, Matteo; Meneghesso, Gaudenzio; Chini, Alessandro; Verzellesi, Giovanni; Grünenpütt, Jan; Lambert, Benoit; Schauwecker, Bernd; Blanck, Hervé; Barnes, Andrew; Zanoni, Enrico
A Generalized Approach to Determine the Switching Reliability of GaN HEMTs on-Wafer Level
2021 Modolo, N.; Minetto, A.; De Santi, C.; Sayadi, L.; Sicre, S.; Prechtl, G.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
A novel on-wafer approach to test the stability of GaN-based devices in hard switching conditions: Study of hot-electron effects
2020 Modolo, N.; Meneghini, M.; Barbato, A.; Nardo, A.; De Santi, C.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Sicre, S.; Prechtl, G.; Curatola, G.
A Novel Physics-Based Approach to Analyze and Model E-Mode p-GaN Power HEMTs
2020 Modolo, Nicola; Tang, Shun-Wei; Jiang, Hong-Jia; De Santi, Carlo; Meneghini, Matteo; Wu, Tian-Li
A physical model for the reverse leakage current in (In,Ga)N/GaN light-emitting diodes based on nanowires
2016 Musolino, M.; Van Treeck, D; Tahraoui, A.; Scarparo, L.; DE SANTI, Carlo; Meneghini, Matteo; Zanoni, Enrico; Geelhaar, L.; Riechert, H.
A Physics-Based Approach to Model Hot-Electron Trapping Kinetics in p-GaN HEMTs
2021 Modolo, N.; De Santi, C.; Minetto, A.; Sayadi, L.; Sicre, S.; Prechtl, G.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
A review of the reliability of integrated ir laser diodes for silicon photonics
2021 Buffolo, M.; De Santi, C.; Norman, J.; Shang, C.; Bowers, J. E.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Ageing of InGaN-based LEDs: Effects on internal quantum efficiency and role of defects
2015 LA GRASSA, Marco; Meneghini, Matteo; DE SANTI, Carlo; Mandurrino, Marco; Goano, Michele; Bertazzi, Francesco; Zeisel, Roland; Galler, Bastian; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Aging behavior, reliability, and failure physics of GaN-based optoelectronic components
2016 Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo; Meneghesso, Gaudenzio; DE SANTI, Carlo; LA GRASSA, Marco; Buffolo, Matteo; Trivellin, Nicola; Monti, Desiree
Analysis and Modeling of VthShift in 4H-SiC MOSFETs at Room and Cryogenic-Temperature
2022 Masin, F.; De Santi, C.; Stockman, A.; Lettens, J.; Geenen, F.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Moens, P.; Meneghini, M.
Analysis of degradation mechanisms in UVC single QW LEDs through electrical, optical and spectral measurements
2022 Piva, F.; Roccato, N.; Buffolo, M.; De Santi, C.; Pilati, M.; Susilo, N.; Guttmann, M.; Sulmoni, L.; Wernicke, T.; Kneissl, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Analysis of degradation processes of UV‐A light emitting diodes stressed at constant current
2016 Monti, Desiree; Meneghini, Matteo; DE SANTI, Carlo; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Analysis of dislocation-related and point-defects in III-As layers by extensive DLTS study
2022 Zenari, M; Buffolo, M; De Santi, C; Norman, J; Meneghesso, G; Bowers, Je; Zanoni, E; Meneghini, M
Analysis of the deep level responsible for the degradation of InGaN-based laser diodes by DLTS
2012 Meneghini, Matteo; DE SANTI, Carlo; Trivellin, Nicola; K., Orita; S., Takigawa; T., Tanaka; D., Ueda; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Analysis of the mechanisms limiting the reliability of retrofit LED lamps
2015 DE SANTI, Carlo; DAL LAGO, Matteo; Buffolo, Matteo; Meneghini, Matteo; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Analysis of threshold voltage instabilities in semi-vertical GaN-on-Si FETs
2020 Mukherjee, K.; Borga, M.; Ruzzarin, M.; De Santi, C.; Stoffels, S.; You, S.; Geens, K.; Liang, H.; Decoutere, S.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Avalanche capability and recoverable breakdown walkout in polarization-doped vertical GaN pn diodes
2019 Fabris, E.; De Santi, C.; Caria, A.; Nomoto, K.; Hu, Z.; Li, W.; Gao, X.; Jena, D.; Xing, H. G.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Breakdown Walkout in Polarization-Doped Vertical GaN Diodes
2019 Fabris, E.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.; De Santi, C.; Caria, A.; Nomoto, K.; Hu, Z.; Li, W.; Gao, X.; Jena, D.; Xing, H. G.
Capture and emission time map to investigate the positive VTH shift in p-GaN power HEMTs
2022 Modolo, N.; Fregolent, M.; Masin, F.; Benato, A.; Bettini, A.; Buffolo, M.; De Santi, C.; Borga, M.; Posthuma, N.; Bakeroot, B.; Decoutere, S.; Vogrig, D.; Neviani, A.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.