DE SANTI, CARLO
DE SANTI, CARLO
Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione - DEI
2DEG Retraction and Potential Distribution of GaN-on-Si HEMTs Investigated Through a Floating Gate Terminal
2018 Rossetto, I.; Meneghini, M.; De Santi, C.; Pandey, Sudip; Gajda, M.; Hurkx, G. A. M.; Croon, J.; Šonský, J.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
A comprehensive reliability evaluation of high-performance AlGaN/GaN HEMTs for space applications
2016 DE SANTI, Carlo; Dalcanale, Stefano; Stocco, Antonio; Rampazzo, Fabiana; Gerardin, Simone; Meneghini, Matteo; Meneghesso, Gaudenzio; Chini, Alessandro; Verzellesi, Giovanni; Grünenpütt, Jan; Lambert, Benoit; Schauwecker, Bernd; Blanck, Hervé; Barnes, Andrew; Zanoni, Enrico
A Generalized Approach to Determine the Switching Reliability of GaN HEMTs on-Wafer Level
2021 Modolo, N.; Minetto, A.; De Santi, C.; Sayadi, L.; Sicre, S.; Prechtl, G.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
A novel in-situ approach to monitor the variations in the on-resistance of power transistors during switching operation
2023 Cavaliere, A.; De Santi, C.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
A novel on-wafer approach to test the stability of GaN-based devices in hard switching conditions: Study of hot-electron effects
2020 Modolo, N.; Meneghini, M.; Barbato, A.; Nardo, A.; De Santi, C.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Sicre, S.; Prechtl, G.; Curatola, G.
A Novel Physics-Based Approach to Analyze and Model E-Mode p-GaN Power HEMTs
2020 Modolo, Nicola; Tang, Shun-Wei; Jiang, Hong-Jia; De Santi, Carlo; Meneghini, Matteo; Wu, Tian-Li
A physical model for the reverse leakage current in (In,Ga)N/GaN light-emitting diodes based on nanowires
2016 Musolino, M.; Van Treeck, D; Tahraoui, A.; Scarparo, L.; DE SANTI, Carlo; Meneghini, Matteo; Zanoni, Enrico; Geelhaar, L.; Riechert, H.
A Physics-Based Approach to Model Hot-Electron Trapping Kinetics in p-GaN HEMTs
2021 Modolo, N.; De Santi, C.; Minetto, A.; Sayadi, L.; Sicre, S.; Prechtl, G.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
A Review of SiC Commercial Devices for Automotive: Properties and Challenges
2023 Marcuzzi, Alberto; Favero, Davide; DE SANTI, Carlo; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo
A review of the reliability of integrated ir laser diodes for silicon photonics
2021 Buffolo, M.; De Santi, C.; Norman, J.; Shang, C.; Bowers, J. E.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Addressing the electrical degradation of 845 nm micro-transfer printed VCSILs through TCAD simulations
2023 Zenari, M.; Buffolo, M.; De Santi, C.; Goyvaerts, J.; Grabowski, A.; Gustavsson, J.; Baets, R.; Larsson, A.; Roelkens, G.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Addressing the Optical Degradation of 1.3 μm Quantum Dot Lasers through Subthreshold Characterization
2023 Zenari, Michele; Buffolo, Matteo; De Santi, Carlo; Norman, Justin; Hughes, Eamonn T.; Bowers, John E.; Herrick, Robert; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo
Advanced defect spectroscopy in wide-bandgap semiconductors: review and recent results
2024 Fregolent, Manuel; Piva, Francesco; Buffolo, Matteo; Santi, Carlo De; Cester, Andrea; Higashiwaki, Masataka; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo
Ageing effects on optical power characteristics and defects in SQW UV-C LEDs
2024 Piva, F.; Buffolo, M.; Pilati, M.; Roccato, N.; Longato, S.; Susilo, N.; Hauer Vidal, D.; Muhin, A.; Sulmoni, L.; Wernicke, T.; Kneissl, M.; De Santi, C.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Ageing of InGaN-based LEDs: Effects on internal quantum efficiency and role of defects
2015 LA GRASSA, Marco; Meneghini, Matteo; DE SANTI, Carlo; Mandurrino, Marco; Goano, Michele; Bertazzi, Francesco; Zeisel, Roland; Galler, Bastian; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Aging behavior, reliability, and failure physics of GaN-based optoelectronic components
2016 Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo; Meneghesso, Gaudenzio; DE SANTI, Carlo; LA GRASSA, Marco; Buffolo, Matteo; Trivellin, Nicola; Monti, Desiree
Analysis and Modeling of VthShift in 4H-SiC MOSFETs at Room and Cryogenic-Temperature
2022 Masin, F.; De Santi, C.; Stockman, A.; Lettens, J.; Geenen, F.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Moens, P.; Meneghini, M.
Analysis of Current Transport Layer Localized Resistivity Increase After High Stress on InGaN LEDs
2023 Trivellin, Nicola; Buffolo, Matteo; De Santi, Carlo; Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo
Analysis of defect-related optical degradation of VCSILs for photonic integrated circuits
2023 Zenari, M.; Buffolo, M.; Fornasier, M.; De Santi, C.; Goyvaerts, J.; Grabowsky, A.; Gustavsson, J.; Kumari, S.; Stassren, A.; Baets, R.; Larsson, A.; Roelkens, G.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Analysis of degradation mechanisms in UVC single QW LEDs through electrical, optical and spectral measurements
2022 Piva, F.; Roccato, N.; Buffolo, M.; De Santi, C.; Pilati, M.; Susilo, N.; Guttmann, M.; Sulmoni, L.; Wernicke, T.; Kneissl, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.