Novel approach of combined planar and cross-sectional defect analysis of stressed normally-on HEMT devices with leaky Schottky gates

Gao, Zhan;Rampazzo, F.;Meneghini, M.;Zanoni, E.;
2023
2023
MICROELECTRONICS RELIABILITY
WOS:001106952900001
2-s2.0-85174637152
W4387231701
   Intelligent Reliability 4.0
   iRel40
   European Commission
   Horizon 2020 Framework Programme
   876659
01.01 - Articolo in rivista
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