Study of the stability of e-mode GaN HEMTs with p-GaN gate based on combined DC and optical analysis

ROSSETTO, ISABELLA;MENEGHINI, MATTEO;RUZZARIN, MARIA;FAVARON, ANDREA;MENEGHESSO, GAUDENZIO;ZANONI, ENRICO
2016
2016
MICROELECTRONICS RELIABILITY
WOS:000386401600103
2-s2.0-84991640186
01.01 - Articolo in rivista
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