Reliability of Power Devices: Bias-Induced Threshold Voltage Instability and Dielectric Breakdown in GaN MIS-HEMTs

MENEGHESSO, GAUDENZIO;BISI, DAVIDE;ROSSETTO, ISABELLA;RUZZARIN, MARIA;MENEGHINI, MATTEO;ZANONI, ENRICO
2016

IEEE International Integrated Reliability Workshop (IEEE IIRW), October 8-12, 2017, Stanford Sierra Conference Center, Fallen Leaf Lake, CA, USA
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