Gate Reliability of p-GaN Gate AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors

Ruzzarin, Maria;De Santi, Carlo;Meneghini, Matteo;Meneghesso, Gaudenzio;Zanoni, Enrico
2019
2019
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
WOS:000460664000005
2-s2.0-85062731428
01.01 - Articolo in rivista
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