Perimeter Driven Transport in the p-GaN Gate as a Limiting Factor for Gate Reliability

Stoffels S.;SANGIORGI, ENRICO;Borga M.;Fabris E.;Meneghini M.;Zanoni E.;Meneghesso G.;
2019
2019
IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings
WOS:000474762500011
2-s2.0-85066748888
978-1-5386-9504-3
04.01 - Contributo in atti di convegno
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