STOFFELS, STEVE
STOFFELS, STEVE
Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione - DEI
Evidence of Time-Dependent Vertical Breakdown in GaN-on-Si HEMTs
2017 Borga, Matteo; Meneghini, Matteo; Rossetto, Isabella; Stoffels, Steve; Posthuma, Niels; Van Hove, Marleen; Marcon, Denis; Decoutere, Stefaan; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Field- and current-driven degradation of GaN-based power HEMTs with p-GaN gate: Dependence on Mg-doping level
2017 Rossetto, I.; Meneghini, M.; Canato, E.; Barbato, M.; Stoffels, S.; Posthuma, N.; Decoutere, S.; Tallarico, A. N.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Degradation of GaN-HEMTs with p-GaN Gate: Dependence on temperature and on geometry
2017 Meneghini, Matteo; Rossetto, Isabella; Borga, Matteo; Canato, Eleonora; De Santi, Carlo; Rampazzo, Fabiana; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Stoffels, Steve; Van Hove, Marleen; Posthuma, Niels; Decoutere, Stefaan
Impact of the substrate and buffer design on the performance of GaN on Si power HEMTs
2018 Borga, M.; Meneghini, M.; Stoffels, S.; Van Hove, M.; Zhao, M.; Li, X.; Decoutere, S.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.
Evaluation of novel carrier substrates for high reliability and integrated GaN devices in a 200 mm complementary metal-oxide semiconductor compatible process
2018 Stoffels, S.; Geens, K.; Li, X.; Wellekens, D.; You, S.; Zhao, M.; Borga, M.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.; Meneghini, M.; Posthuma, N. E.; Van Hove, M.; Decoutere, S.
Perimeter Driven Transport in the p-GaN Gate as a Limiting Factor for Gate Reliability
2019 Stoffels, S.; Posthuma, N.; Decoutere, S.; Bakeroot, B.; Tallarico, A. N.; Sangiorgi, Enrico; Fiegna, C.; Zheng, J.; Ma, X.; Borga, M.; Fabris, E.; Meneghini, M.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.; Priesol, J.; Satka, A.
Power GaN HEMT degradation: From time-dependent breakdown to hot-electron effects
2019 Meneghini, M.; Barbato, A.; Borga, M.; De Santi, C.; Barbato, M.; Stoffels, S.; Zhao, M.; Posthuma, N.; Decoutere, S.; Haeberlen, O.; Detzel, T.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.