Padua Research Archive, l’archivio istituzionale della produzione scientifica dell’Università degli Studi di Padova, ha lo scopo di raccogliere, documentare, conservare e pubblicare, anche ad accesso aperto, i prodotti della ricerca dell’Ateneo. Padua Research Archive utilizza la piattaforma IRIS (Institutional Research Information System) sviluppata da Cineca.

STOFFELS, STEVE

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	Titolo	Data di pubblicazione	Autori	Rivista	Serie	Titolo libro
1	Power GaN HEMT degradation: From time-dependent breakdown to hot-electron effects	2019	MENEGHINI, MATTEO ; BARBATO, ALESSANDRO ; BORGA, MATTEO ; DE SANTI, CARLO ; BARBATO, MARCO ; STOFFELS, STEVE ; Zhao, M.; Posthuma, N.; Decoutere, S.; Haeberlen, O.; Detzel, T.; MENEGHESSO, GAUDENZIO ; ZANONI, ENRICO		TECHNICAL DIGEST - INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING	Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM
2	Perimeter Driven Transport in the p-GaN Gate as a Limiting Factor for Gate Reliability	2019	STOFFELS, STEVE ; Posthuma N.; Decoutere S.; Bakeroot B.; Tallarico A. N.; SANGIORGI, ENRICO ; Fiegna C.; Zheng J.; Ma X.; BORGA, MATTEO ; FABRIS, ELENA ; MENEGHINI, MATTEO ; ZANONI, ENRICO ; MENEGHESSO, GAUDENZIO ; Priesol J.; Satka A.		IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM PROCEEDINGS	IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings
3	Evaluation of novel carrier substrates for high reliability and integrated GaN devices in a 200 mm complementary metal-oxide semiconductor compatible process	2018	STOFFELS, STEVE ; Geens, K.; Li, X.; Wellekens, D.; You, S.; Zhao, M.; BORGA, MATTEO ; ZANONI, ENRICO ; MENEGHESSO, GAUDENZIO ; MENEGHINI, MATTEO ; Posthuma, N. E.; Van Hove, M.; Decoutere, S.	MRS COMMUNICATIONS
4	Impact of the substrate and buffer design on the performance of GaN on Si power HEMTs	2018	BORGA, MATTEO ; MENEGHINI, MATTEO ; STOFFELS, STEVE ; Van Hove, M.; Zhao, M.; Li, X.; Decoutere, S.; ZANONI, ENRICO ; MENEGHESSO, GAUDENZIO	MICROELECTRONICS RELIABILITY
5	Degradation of GaN-HEMTs with p-GaN Gate: Dependence on temperature and on geometry	2017	MENEGHINI, MATTEO ; ROSSETTO, ISABELLA ; BORGA, MATTEO ; CANATO, ELEONORA ; DE SANTI, CARLO ; RAMPAZZO, FABIANA ; MENEGHESSO, GAUDENZIO ; ZANONI, ENRICO ; STOFFELS, STEVE ; Van Hove, Marleen; Posthuma, Niels; Decoutere, Stefaan	IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM PROCEEDINGS		IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings
6	Field- and current-driven degradation of GaN-based power HEMTs with p-GaN gate: Dependence on Mg-doping level	2017	ROSSETTO, ISABELLA ; MENEGHINI, MATTEO ; CANATO, ELEONORA ; BARBATO, MARCO ; STOFFELS, STEVE ; Posthuma, N.; Decoutere, S.; Tallarico, A. N.; MENEGHESSO, GAUDENZIO ; ZANONI, ENRICO	MICROELECTRONICS RELIABILITY
7	Evidence of Time-Dependent Vertical Breakdown in GaN-on-Si HEMTs	2017	BORGA, MATTEO ; MENEGHINI, MATTEO ; ROSSETTO, ISABELLA ; STOFFELS, STEVE ; Posthuma, Niels; Van Hove, Marleen; Marcon, Denis; Decoutere, Stefaan; MENEGHESSO, GAUDENZIO ; ZANONI, ENRICO	IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES

Dettaglio

Nome completo:

STOFFELS, STEVE

struttura:

Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione - DEI