Padua Research Archive, l’archivio istituzionale della produzione scientifica dell’Università degli Studi di Padova, ha lo scopo di raccogliere, documentare, conservare e pubblicare, anche ad accesso aperto, i prodotti della ricerca dell’Ateneo. Padua Research Archive utilizza la piattaforma IRIS (Institutional Research Information System) sviluppata da Cineca.

STOFFELS, STEVE

Rete di Collaborazioni Statistiche Email Alert RSS Feed

Info

Pubblicazioni (Tutti)

Risultati 1 - 7 di 7 (tempo di esecuzione: 0.001 secondi).

	Titolo	Data di pubblicazione	Autori	Rivista	Serie	Titolo libro
1	Power GaN HEMT degradation: From time-dependent breakdown to hot-electron effects	2019	MENEGHINI, MATTEO ; BARBATO, ALESSANDRO ; BORGA, MATTEO ; DE SANTI, CARLO ; BARBATO, MARCO ; STOFFELS, STEVE ; Zhao, M.; Posthuma, N.; Decoutere, S.; Haeberlen, O.; Detzel, T.; MENEGHESSO, GAUDENZIO ; ZANONI, ENRICO		TECHNICAL DIGEST - INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING	Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM
2	Perimeter Driven Transport in the p-GaN Gate as a Limiting Factor for Gate Reliability	2019	STOFFELS, STEVE ; Posthuma N.; Decoutere S.; Bakeroot B.; Tallarico A. N.; SANGIORGI, ENRICO ; Fiegna C.; Zheng J.; Ma X.; BORGA, MATTEO ; FABRIS, ELENA ; MENEGHINI, MATTEO ; ZANONI, ENRICO ; MENEGHESSO, GAUDENZIO ; Priesol J.; Satka A.		IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM PROCEEDINGS	IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings
3	Impact of the substrate and buffer design on the performance of GaN on Si power HEMTs	2018	BORGA, MATTEO ; MENEGHINI, MATTEO ; STOFFELS, STEVE ; Van Hove, M.; Zhao, M.; Li, X.; Decoutere, S.; ZANONI, ENRICO ; MENEGHESSO, GAUDENZIO	MICROELECTRONICS RELIABILITY
4	Evaluation of novel carrier substrates for high reliability and integrated GaN devices in a 200 mm complementary metal-oxide semiconductor compatible process	2018	STOFFELS, STEVE ; Geens, K.; Li, X.; Wellekens, D.; You, S.; Zhao, M.; BORGA, MATTEO ; ZANONI, ENRICO ; MENEGHESSO, GAUDENZIO ; MENEGHINI, MATTEO ; Posthuma, N. E.; Van Hove, M.; Decoutere, S.	MRS COMMUNICATIONS
5	Field- and current-driven degradation of GaN-based power HEMTs with p-GaN gate: Dependence on Mg-doping level	2017	ROSSETTO, ISABELLA ; MENEGHINI, MATTEO ; CANATO, ELEONORA ; BARBATO, MARCO ; STOFFELS, STEVE ; Posthuma, N.; Decoutere, S.; Tallarico, A. N.; MENEGHESSO, GAUDENZIO ; ZANONI, ENRICO	MICROELECTRONICS RELIABILITY
6	Degradation of GaN-HEMTs with p-GaN Gate: Dependence on temperature and on geometry	2017	MENEGHINI, MATTEO ; ROSSETTO, ISABELLA ; BORGA, MATTEO ; CANATO, ELEONORA ; DE SANTI, CARLO ; RAMPAZZO, FABIANA ; MENEGHESSO, GAUDENZIO ; ZANONI, ENRICO ; STOFFELS, STEVE ; Van Hove, Marleen; Posthuma, Niels; Decoutere, Stefaan	IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM PROCEEDINGS		IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings
7	Evidence of Time-Dependent Vertical Breakdown in GaN-on-Si HEMTs	2017	BORGA, MATTEO ; MENEGHINI, MATTEO ; ROSSETTO, ISABELLA ; STOFFELS, STEVE ; Posthuma, Niels; Van Hove, Marleen; Marcon, Denis; Decoutere, Stefaan; MENEGHESSO, GAUDENZIO ; ZANONI, ENRICO	IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES

Dettaglio

Nome completo:

STOFFELS, STEVE

struttura:

Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione - DEI