FABRIS, ELENA
FABRIS, ELENA
Università di Padova
Avalanche capability and recoverable breakdown walkout in polarization-doped vertical GaN pn diodes
2019 Fabris, E.; De Santi, C.; Caria, A.; Nomoto, K.; Hu, Z.; Li, W.; Gao, X.; Jena, D.; Xing, H. G.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Breakdown Walkout in Polarization-Doped Vertical GaN Diodes
2019 Fabris, E.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.; De Santi, C.; Caria, A.; Nomoto, K.; Hu, Z.; Li, W.; Gao, X.; Jena, D.; Xing, H. G.
Challenges towards highly reliable GaN power transistors
2018 Meneghini, M.; Barbato, A.; Borga, M.; Canato, E.; De Santi, C.; Fabris, E.; Rampazzo, F.; Tajalli, A.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Degradation Mechanisms of GaN-Based Vertical Devices: A Review
2020 Meneghini, M.; Fabris, E.; Ruzzarin, M.; De Santi, C.; Nomoto, K.; Hu, Z.; Li, W.; Gao, X.; Jena, D.; Xing, H. G.; Sun, M.; Palacios, T.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Degradation of GaN-Based Lateral and Vertical Devices—Challenges and Perspectives
2019 Meneghini, Matteo; DE SANTI, Carlo; Barbato, Alessandro; Borga, Matteo; Canato, Eleonora; Chiocchetta, Francesca; Fabris, Elena; Gao, Zhan; Masin, Fabrizio; Mukherjee, Kalparupa; Nardo, Arianna; Rampazzo, Fabiana; Ruzzarin, Maria; Rzin, Mehdi; Tajalli, Alaleh; Barbato, Marco; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Degradation of GaN-on-GaN vertical diodes submitted to high current stress
2018 Fabris, E.; Meneghini, M.; De Santi, C.; Hu, Z.; Li, W.; Nomoto, K.; Gao, X.; Jena, D.; Xing, H. G.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Degradation physics of GaN-based lateral and vertical devices
2019 Meneghini, M.; De Santi, C.; Barbato, A.; Borga, M.; Canato, E.; Chiocchetta, Francesca; Fabris, E.; Masin, F.; Nardo, A.; Rampazzo, F.; Ruzzarin, M.; Tajalli, A.; Barbato, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Demonstration of avalanche capability in polarization-doped vertical GaN pn diodes: Study of walkout due to residual carbon concentration
2019 De Santi, C.; Fabris, E.; Nomoto, K.; Hu, Z.; Li, W.; Gao, X.; Jena, D.; Xing, H. G.; Meneghesso, G.; Meneghini, M.; Zanoni, E.
Gallium Nitride power devices: challenges and perspectives
2018 Meneghini, M.; Barbato, A.; Borga, M.; Canato, E.; De Santi, C.; Fabris, E.; Rampazzo, F.; Ruzzarin, M.; Tajalli, A.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
GaN Vertical p-i-n Diodes in Avalanche Regime: Time-Dependent Behavior and Degradation
2020 De Santi, C.; Fabris, E.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Hot-Electron Effects in GaN GITs and HD-GITs: A Comprehensive Analysis
2019 Fabris, E.; Meneghini, M.; De Santi, C.; Borga, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Kinoshita, Y.; Tanaka, K.; Ishida, H.; Ueda, T.
Hot-Electron Trapping and Hole-Induced Detrapping in GaN-Based GITs and HD-GITs
2019 Fabris, Elena; Meneghini, Matteo; De Santi, Carlo; Borga, Matteo; Kinoshita, Yusuke; Tanaka, Kenichiro; Ishida, Hidetoshi; Ueda, Tetsuzo; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Hot-electron trapping and luminescence in GaN-based GITs and HD-GITs: an extensive analysis
2019 Fabris, E.; Meneghini, M.; De Santi, C.; Borga, M.; Kinoshita, Y.; Tanaka, K.; Ishida, H.; Ueda, T.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Impact of Residual Carbon on Avalanche Voltage and Stability of Polarization-Induced Vertical GaN p-n Junction
2020 Fabris, Elena; De Santi, Carlo; Caria, Alessandro; Mukherjee, Kalparupa; Nomoto, Kazuki; Hu, Zongyang; Li, Wenshen; Gao, Xiang; Marchand, Hugues; Jena, Debdeep; Xing, Huili Grace; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo
Perimeter Driven Transport in the p-GaN Gate as a Limiting Factor for Gate Reliability
2019 Stoffels, S.; Posthuma, N.; Decoutere, S.; Bakeroot, B.; Tallarico, A. N.; Sangiorgi, Enrico; Fiegna, C.; Zheng, J.; Ma, X.; Borga, M.; Fabris, E.; Meneghini, M.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.; Priesol, J.; Satka, A.
Recent Advancements in Power GaN Reliability
2018 De Santi, C.; Meneghini, M.; Borga, M.; Ruzzarin, M.; Canato, E.; Tajalli, A.; Barbato, A.; Fabris, E.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.
Reliability and Dynamic Performance of Gallium Nitride-based Devices for Power Applications
2019 De Santi, C.; Meneghini, M.; Barbato, A.; Borga, M.; Canato, E.; Chiocchetta, F.; Fabris, E.; Gao, Z.; Masin, F.; Mukherjee, K.; Nardo, A.; Ruzzarin, M.; Rzin, M.; Tajalli, A.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Reliability Issues in Lateral and Vertical GaN FETs for Power Electronics
2018 Meneghesso, G.; Meneghini, M.; De Santi, C.; Barbato, A.; Barbato, M.; Borga, M.; Canato, E.; Fabris, E.; Masin, F.; Ruzzarin, M.; Tajalli, A.; Zanoni, E.
Trapping and Detrapping Mechanisms in β-GaO Vertical FinFETs Investigated by Electro-Optical Measurements
2020 Fabris, E.; De Santi, C.; Caria, A.; Li, W.; Nomoto, K.; Hu, Z.; Jena, D.; Xing, H. G.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Trapping processes and band discontinuities in Ga2O3FinFETs investigated by dynamic characterization and optically-assisted measurements
2021 De Santi, C.; Fabris, E.; Caria, A.; Buffolo, M.; Li, W.; Nomoto, K.; Hu, Z.; Jena, D.; Xing, H. G.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.