Transconductance overshoot as a signature of trapping effects at backbarrier interface of GaN HEMTs : dependence on device epitaxial structure

Zhan Gao;Francesco De Pieri;Carlo De Santi;Fabiana Rampazzo;Matteo Meneghini;Gaudenzio Meneghesso;Enrico Zanoni
2023

2023
Proceedings of ICNS-14
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