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Measurements of the InGaAs Hole Impact Ionization Coefficient in InAlAs/InGaAs pnp HBTs
2001 Buttari, Dario; Chini, Alessandro; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Sawdai, D.; Pavlidis, D.; Hsu, S. S. H.
Dependence of Impact Ionization and Kink on Surface-Deep-Level Dynamics in AlGaAs/GaAs HFETs
2001 A., Mazzanti; G., Verzellesi; L., Vicini; C., Canali; Chini, Alessandro; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; C., Lanzieri
Characterization of GaN based MESFETs by comparing Electroluminescence, Photoionization and Cathodoluminescence spectroscopy
2001 N., Armani; Chini, Alessandro; M., Manfredi; Meneghesso, Gaudenzio; M., Pavesi; V., Grillo; G., Salviati; Zanoni, Enrico
Electrostatic discharge and electrical overstress on GaN/InGaN Light Emitting Diodes
2001 Meneghesso, Gaudenzio; Chini, Alessandro; Maschietto, A.; Zanoni, Enrico; Malberti, P.; Ciappa, M.
Long Term Stability of InGaAs/AlInAs/GaAs Methamorphic HEMTs
2001 Meneghesso, Gaudenzio; Chini, Alessandro; Zanoni, Enrico
Trap Characterization in Buried-Gate N-Channel 6H-SiC JFETs
2001 Meneghesso, Gaudenzio; Chini, Alessandro; G., Verzellesi; A., Cavallini; C., Canali; Zanoni, Enrico
Current Collapse in AlGaN/GaN HEMTs
2001 Chini, Alessandro; F., Bruni; Buttari, Dario; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Characterization and reliability of InP-based HEMTs implemented with different process options
2000 Meneghesso, Gaudenzio; R., Luise; Buttari, Dario; Chini, Alessandro; H., Yokoyama; T., Suemitsu; Zanoni, Enrico
Parasitic effects and long term stability of InP-based HEMTs
2000 Meneghesso, Gaudenzio; R., Luise; Buttari, Dario; Chini, Alessandro; H., Yokoyama; T., Suemitsu; Zanoni, Enrico
Hole impact Ionization coefficient in (100) oriented In0.53Ga0.47As based on pnp InAlAs/InGaAs HBTs
2000 Buttari, Dario; Chini, Alessandro; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; D., Sawdai; D. PAVLIDIS S. S. H., Hsu
Diagnosis of trapping phenomena in GaN MESFETs
2000 Meneghesso, Gaudenzio; Chini, Alessandro; Zanoni, Enrico; M., Manfredi; M., Pavesi; B., Boudart; C., Gaquiere
Deep traps related effects in GaN MESFETs grown on sapphire substrate
2000 Chini, Alessandro; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; M., Manfredi; M., Pavesi; B., Boudart; C., Gaquiere
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