BUTTARI, DARIO
BUTTARI, DARIO
2.1 A/mm current density AlGaN/GaN HEMT
2003 Chini, Alessandro; Coffie, R.; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Buttari, Dario; Heikman, S.; Keller, S.; Mishra, U. K.
Characterization and reliability of InP-based HEMTs implemented with different process options
2000 Meneghesso, Gaudenzio; R., Luise; Buttari, Dario; Chini, Alessandro; H., Yokoyama; T., Suemitsu; Zanoni, Enrico
Current Collapse in AlGaN/GaN HEMTs
2001 Chini, Alessandro; F., Bruni; Buttari, Dario; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
DC and Pulsed measurements of on-state breakdown voltage
1999 Meneghesso, Gaudenzio; G., Massari; Buttari, Dario; A., Bortoletto; M., Maretto; Zanoni, Enrico
Experimental/Numerical Investigation on Current Collapse in AlGaN/GaN HEMT's
2002 G., Verzellesi; Pierobon, Roberto; Rampazzo, Fabiana; Meneghesso, Gaudenzio; Chini, Alessandro; Buttari, Dario; U. K., Mishra; C., Canali; Zanoni, Enrico
Hole impact Ionization coefficient in (100) oriented In0.53Ga0.47As based on pnp InAlAs/InGaAs HBTs
2000 Buttari, Dario; Chini, Alessandro; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; D., Sawdai; D. PAVLIDIS S. S. H., Hsu
Hot Electrons and Reliability in HEMTs
1999 Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio; Buttari, Dario; M., Maretto; G., Massari
Improvement of DC, low frequency and reliability properties of InAlAs/InGaAs InP-based HEMTs by means of an InP etch stop layerInternational Electron Devices Meeting 1998. Technical Digest (Cat. No.98CH36217)
1998 Meneghesso, Gaudenzio; Buttari, Dario; E., Perin; C., Canali; Zanoni, Enrico
Measurements of the InGaAs Hole Impact Ionization Coefficient in InAlAs/InGaAs pnp HBTs
2001 Buttari, Dario; Chini, Alessandro; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Sawdai, D.; Pavlidis, D.; Hsu, S. S. H.
Parasitic effects and long term stability of InP-based HEMTs
2000 Meneghesso, Gaudenzio; R., Luise; Buttari, Dario; Chini, Alessandro; H., Yokoyama; T., Suemitsu; Zanoni, Enrico
Pulsed measurements and circuit modeling of a new breakdown mechanism of MESFETs and HEMTs
2000 Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio; Buttari, Dario; M., Maretto; G., Massari
Reactive Ion Etching for Improved Ohmics in AlGaN/GaN HEMT's
2001 Buttari, Dario; Chini, Alessandro; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; B., Moran; S., Heikman; N. Q., Zhang; L., Shen; R., Coffie; U. K., Mishra
Systematic characterization of Cl2 reactive ion etching for improved ohmics in AlGaN/GaN HEMTs
2002 Buttari, Dario; Chini, Alessandro; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Moran, B.; Heikman, S.; Zhang, N. Q.; Shen, L.; Coffie, R.; Denbaars, S. P.; Mishra, U. K.
Systematic characterization of Cl2 reactive ion etching for gate recessing in AlGaN/GaN HEMTs
2002 Buttari, Dario; Chini, Alessandro; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; P., Chavarkar; R., Coffie; N. Q., Zhang; S., Heikinan; L., Shen; H., Xing; C., Zheng; U. K., Mishra
Temperature coefficient of on-state breakdown in InP- and GaAs-based heterostructure FETs
1999 D., Dieci; T., Tomasi; Buttari, Dario; Meneghesso, Gaudenzio; C., Canali; Zanoni, Enrico