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NOTA: è possibile cercare una corrispondenza esatta usando i doppi apici, ad es: "evoluzione della specie". Qualora si cerchi un identificativo, è consigliabile cercarlo in due modi differenti: tra apici con caratteri speciali es: "978-94-6366-274" oppure senza caratteri speciali solo come sequenza numerica: es 978946366274.
Vertical stack reliability of GaN-on-Si buffers for low-voltage applications
2021 Fabris, E.; Borga, M.; Posthuma, N.; Zhao, M.; De Jaeger, B.; You, S.; Decoutere, S.; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Welcome to ESSCIRC 2014
2014 Meneghesso, Gaudenzio; Pietro, Andreani; Bevilacqua, Andrea
White light source based on GaN laser diode
2017 Trivellin, N.; Buffolo, M.; Meneghini, M.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.
White-light sources based on GaN laser diodes: Analysis and application study
2018 Trivellin, Nicola; Yushchenko, Maksym; Buffolo, Matteo; Meneghini, Matteo; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Wide band gap Innovative SiC for Advanced Power (WInSiC4AP) a European project driving the future applications of SiC
2018 Liggio, L.; Imbruglia, A.; Saggio, M.; Cacciato, M.; Domingo Salvany, J.; Silvestre, B.; Reggiani, S.; Meneghesso, G.; Patanè, S.; Husak, M.; Wurz, M. C.; Roccaforte, F.; Fiorenza, P.; La Via, F.; La Magna, A.; Pignat, X.; Metzelard, O.; Favre, J.; Di Leo, F.; Haug, M.; Michaud, J-F.; Alquier, D.; Havlik, J.; Valentinetti, T.; Viano, G.; Russo, G.
WOCSEMMAD Report of Wocsdice
2012 Meneghesso, Gaudenzio
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Tipologia
- 04 CONTRIBUTO IN ATTO DI CONVEGNO 696
- 04 CONTRIBUTO IN ATTO DI CONVEGNO... 671
- 04 CONTRIBUTO IN ATTO DI CONVEGNO... 25
Data di pubblicazione
- 2020 - 2023 107
- 2010 - 2019 361
- 2000 - 2009 185
- 1992 - 1999 43
Editore
- Institute of Electrical and Elect... 35
- SPIE 33
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- IEEE Institute of Electrical and ... 5
- IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ... 5
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Rivista
- PROCEEDINGS OF SPIE, THE INTERNAT... 10
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- PROCEEDINGS OF THE EUROPEAN SOLID... 5
- AIP CONFERENCE PROCEEDINGS 2
- PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL ... 1
Serie
- PROCEEDINGS OF SPIE, THE INTERNAT... 32
- IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PH... 20
- TECHNICAL DIGEST - INTERNATIONAL ... 4
- PROCEEDINGS OF THE ... INTERNATIO... 1
- PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL ... 1
Keyword
- reliability 172
- HEMT 157
- degradation 153
- Gallium Nitride 142
- Charge Trapping 66
- light emitting diodes 66
- InGaN 50
- Electrostatic discharge (ESD) 37
- MEMS 32
- Gallium Arsenide 31
Lingua
- eng 674
- ita 4
- jpn 1
Accesso al fulltext
- no fulltext 695
- open 1