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NOTA: è possibile cercare una corrispondenza esatta usando i doppi apici, ad es: "evoluzione della specie". Qualora si cerchi un identificativo, è consigliabile cercarlo in due modi differenti: tra apici con caratteri speciali es: "978-94-6366-274" oppure senza caratteri speciali solo come sequenza numerica: es 978946366274.
Trapping in Al2O3/GaN MOScaps investigated by fast capacitive techniques
2023 Fregolent, M; Marcuzzi, A; De Santi, C; Treidel, Eb; Meneghesso, G; Zanoni, E; Meneghini, M
Trapping induced parasitic effects in GaN-HEMT for power switching applications
2015 Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo; Zanoni, Enrico; Vanmeerbeek, Piet; Moens, Peter
Trapping processes and band discontinuities in Ga2O3FinFETs investigated by dynamic characterization and optically-assisted measurements
2021 De Santi, C.; Fabris, E.; Caria, A.; Buffolo, M.; Li, W.; Nomoto, K.; Hu, Z.; Jena, D.; Xing, H. G.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Trapping processes related to iron and carbon doping in AlGaN/GaN power HEMTs
2015 Meneghini, Matteo; Bisi, Davide; Rossetto, Isabella; DE SANTI, Carlo; Stocco, Antonio; Hilt, O.; Bahat Treidel, E.; Wuerfl, J.; Rampazzo, Fabiana; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Traps characterization in AlGaN/GaN HEMTs by means of Drain Current Transient Measurements
2012 F., Soci; A., Chini; F., Fantini; A., Nanni; A., Pantellini; C., Lanzieri; Bisi, Davide; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Traps characterization in Si-doped GaN/AlGaN/GaN HEMT on SiC by means of low frequency techniques
2005 Sozza, Alberto; C., Dua; N., Sarazin; E., Morvan; S. L., Delage; Rampazzo, Fabiana; Tazzoli, Augusto; Danesin, Francesca; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; A., Curutchet; N., Malbert; N., Labat
Traps related effects in SiC and GaN-based devices
2001 Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Two-Dimensional Numerical Simulation of Deep Level Effect in 6H-SiC Buried-Gate JFETs
2001 G., Verzellesi; Meneghesso, Gaudenzio; A., Cavallini; Zanoni, Enrico; C., Canali
Unpassivated GaN/AlGaN/GaN HEMTs with very low DC to RF drain current dispersion
2004 Pierobon, Roberto; Rampazzo, Fabiana; Corradini, Luca; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; J., Bernt; M. MARSO AND P., Kordos
UV LED reliability: degradation mechanisms and challenges
2022 Meneghini, M; Piva, F; De Santi, C; Trivellin, N; Buffolo, M; Roccato, N; Brescancin, R; Grigoletto, M; Fiorimonte, D; Einfeldt, S; Glaab, J; Ruschel, J; Susilo, N; Wernicke, T; Kneissl, M; Meneghesso, G; Zanoni, E
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Tipologia
- 04 CONTRIBUTO IN ATTO DI CONVEGNO 696
- 04 CONTRIBUTO IN ATTO DI CONVEGNO... 671
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Data di pubblicazione
- 2020 - 2023 107
- 2010 - 2019 361
- 2000 - 2009 185
- 1992 - 1999 43
Editore
- Institute of Electrical and Elect... 35
- SPIE 33
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- SPIE-INT SOC OPTICAL ENGINEERING 18
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- IEEE Institute of Electrical and ... 5
- IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ... 5
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- Gaudenzio Meneghesso 3
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Rivista
- PROCEEDINGS OF SPIE, THE INTERNAT... 10
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Serie
- PROCEEDINGS OF SPIE, THE INTERNAT... 32
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Keyword
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- HEMT 157
- degradation 153
- Gallium Nitride 142
- Charge Trapping 66
- light emitting diodes 66
- InGaN 50
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