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Titolo Data di pubblicazione Autori Rivista Serie Titolo libro
Trapping in Al2O3/GaN MOScaps investigated by fast capacitive techniques 2023 Fregolent, MMarcuzzi, ADe Santi, CMeneghesso, GZanoni, EMeneghini, M + - IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM PROCEEDINGS Proceedings of the 2023 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS 2023)
Trapping induced parasitic effects in GaN-HEMT for power switching applications 2015 MENEGHESSO, GAUDENZIOMENEGHINI, MATTEOZANONI, ENRICO + - - 2015 International Conference on IC Design and Technology, ICICDT 2015
Trapping processes and band discontinuities in Ga2O3FinFETs investigated by dynamic characterization and optically-assisted measurements 2021 De Santi C.Fabris E.Caria A.Buffolo M.Meneghesso G.Zanoni E.Meneghini M. + - PROCEEDINGS OF SPIE, THE INTERNATIONAL SOCIETY FOR OPTICAL ENGINEERING Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering
Trapping processes related to iron and carbon doping in AlGaN/GaN power HEMTs 2015 MENEGHINI, MATTEOBISI, DAVIDEROSSETTO, ISABELLADE SANTI, CARLOSTOCCO, ANTONIORAMPAZZO, FABIANAMENEGHESSO, GAUDENZIOZANONI, ENRICO + PROCEEDINGS OF SPIE, THE INTERNATIONAL SOCIETY FOR OPTICAL ENGINEERING - Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering
Traps characterization in AlGaN/GaN HEMTs by means of Drain Current Transient Measurements 2012 BISI, DAVIDEMENEGHESSO, GAUDENZIOZANONI, ENRICO + - - 21th European workshop on Heterostructure Technology, HeTech 2012
Traps characterization in Si-doped GaN/AlGaN/GaN HEMT on SiC by means of low frequency techniques 2005 SOZZA, ALBERTORAMPAZZO, FABIANATAZZOLI, AUGUSTODANESIN, FRANCESCAMENEGHESSO, GAUDENZIOZANONI, ENRICO + - - -
Traps related effects in SiC and GaN-based devices 2001 MENEGHESSO, GAUDENZIOZANONI, ENRICO - - -
Two-Dimensional Numerical Simulation of Deep Level Effect in 6H-SiC Buried-Gate JFETs 2001 MENEGHESSO, GAUDENZIOZANONI, ENRICO + - - -
Unpassivated GaN/AlGaN/GaN HEMTs with very low DC to RF drain current dispersion 2004 PIEROBON, ROBERTORAMPAZZO, FABIANACORRADINI, LUCAMENEGHESSO, GAUDENZIOZANONI, ENRICO + - - -
UV LED reliability: degradation mechanisms and challenges 2022 Meneghini, MPiva, FDe Santi, CTrivellin, NBuffolo, MRoccato, NFiorimonte, DMeneghesso, GZanoni, E + - PROCEEDINGS OF SPIE, THE INTERNATIONAL SOCIETY FOR OPTICAL ENGINEERING Proceedings Volume 12001, Gallium Nitride Materials and Devices XVII
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Tipologia
  • 04 CONTRIBUTO IN ATTO DI CONVEGNO 696
  • 04 CONTRIBUTO IN ATTO DI CONVEGNO... 671
  • 04 CONTRIBUTO IN ATTO DI CONVEGNO... 25
Autore
  • ZANONI, ENRICO 548
  • MENEGHINI, MATTEO 429
  • DE SANTI, CARLO 196
  • TRIVELLIN, NICOLA 92
  • BUFFOLO, MATTEO 82
  • RAMPAZZO, FABIANA 82
  • TAZZOLI, AUGUSTO 72
  • STOCCO, ANTONIO 51
  • CESTER, ANDREA 40
  • BISI, DAVIDE 32
Data di pubblicazione
  • 2020 - 2023 107
  • 2010 - 2019 361
  • 2000 - 2009 185
  • 1992 - 1999 43
Editore
  • Institute of Electrical and Elect... 35
  • SPIE 33
  • IEEE 22
  • SPIE-INT SOC OPTICAL ENGINEERING 18
  • IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ... 7
  • IEEE Institute of Electrical and ... 5
  • IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ... 5
  • IEEE / Institute of Electrical an... 4
  • Gaudenzio Meneghesso 3
  • IEEE Computer Society 2
Rivista
  • PROCEEDINGS OF SPIE, THE INTERNAT... 10
  • IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PH... 6
  • PROCEEDINGS OF THE EUROPEAN SOLID... 5
  • AIP CONFERENCE PROCEEDINGS 2
  • PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL ... 1
Serie
  • PROCEEDINGS OF SPIE, THE INTERNAT... 32
  • IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PH... 20
  • TECHNICAL DIGEST - INTERNATIONAL ... 4
  • PROCEEDINGS OF THE ... INTERNATIO... 1
  • PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL ... 1
Keyword
  • reliability 172
  • HEMT 157
  • degradation 153
  • Gallium Nitride 142
  • Charge Trapping 66
  • light emitting diodes 66
  • InGaN 50
  • Electrostatic discharge (ESD) 37
  • MEMS 32
  • Gallium Arsenide 31
Lingua
  • eng 674
  • ita 4
  • jpn 1
Accesso al fulltext
  • no fulltext 695
  • open 1