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Titolo Data di pubblicazione Autori Rivista Serie Titolo libro
Trap parameter extraction and compact modeling of non-ideal dynamic performance in AlGaN/GaN HEMTs 2022 Carlo De SantiNicola ModoloGiulio BaratellaMatteo BorgaGaudenzio MeneghessoEnrico ZanoniMatteo Meneghini + - - Proceedings of the 2022 International Workshop on Nitride Semiconductors
Trap related instabilities and localized damages induced by reverse bias” 2009 ZANONI, ENRICOMENEGHESSO, GAUDENZIORAMPAZZO, FABIANAMENEGHINI, MATTEOTAZZOLI, AUGUSTODANESIN, FRANCESCAZANON, FRANCORONCHI, NICOLO'STOCCO, ANTONIO - - -
Trap-assisted forward tunneling current in InGaN/GaN LEDs: experiments and physics-based simulation 2014 MENEGHINI, MATTEOMENEGHESSO, GAUDENZIOZANONI, ENRICO + - - Proc of International Workshop on Nitride Semiconductors IWN-2014
Trap-assisted tunneling contributions to subthreshold forward current in InGaN/GaN light-emitting diodes 2015 MENEGHINI, MATTEOMENEGHESSO, GAUDENZIOZANONI, ENRICO + - - Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering - Volume 9571 - Volume 9571
Trap-assisted tunneling in InGaN/GaN LEDs: Experiments and physics-based simulation 2014 MENEGHINI, MATTEOMENEGHESSO, GAUDENZIOZANONI, ENRICO + - - Numerical Simulation of Optoelectronic Devices, NUSOD 2014
Trap-Related Effects in 6H-SiC Buried-Gate JFET's 2001 MENEGHESSO, GAUDENZIOCHINI, ALESSANDROZANONI, ENRICO + - - -
Trapping and High Electric Field Parasitic and Degradation phenomena in AlGaN/GaN power HEMTs 2012 MENEGHESSO, GAUDENZIOMENEGHINI, MATTEOZANONI, ENRICO - - IWN2012 International Workshop on Nitride Semiconductors
Trapping and high field related issues in GaN power HEMTs 2014 MENEGHESSO, GAUDENZIOMENEGHINI, MATTEOZANONI, ENRICO + - - 2014 IEEE International Electron Devices Meeting
Trapping and high-field characterization in Recessed-Gate AlGaN/GaN-on-Silicon HEMT 2010 MENEGHESSO, GAUDENZIORONCHI, NICOLO'STOCCO, ANTONIOZANONI, ENRICO + - - Book of Abstracts of International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
Trapping and reliability of wide bandgap devices 2022 Carlo De SantiGaudenzio MeneghessoEnrico ZanoniMatteo Meneghini - - Proceedings of the 2022 European Solid-state Devices and Circuits Conference
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Tipologia
  • 04 CONTRIBUTO IN ATTO DI CONVEGNO 696
  • 04 CONTRIBUTO IN ATTO DI CONVEGNO... 671
  • 04 CONTRIBUTO IN ATTO DI CONVEGNO... 25
Autore
  • ZANONI, ENRICO 548
  • MENEGHINI, MATTEO 429
  • DE SANTI, CARLO 196
  • TRIVELLIN, NICOLA 92
  • BUFFOLO, MATTEO 82
  • RAMPAZZO, FABIANA 82
  • TAZZOLI, AUGUSTO 72
  • STOCCO, ANTONIO 51
  • CESTER, ANDREA 40
  • BISI, DAVIDE 32
Data di pubblicazione
  • 2020 - 2023 107
  • 2010 - 2019 361
  • 2000 - 2009 185
  • 1992 - 1999 43
Editore
  • Institute of Electrical and Elect... 35
  • SPIE 33
  • IEEE 22
  • SPIE-INT SOC OPTICAL ENGINEERING 18
  • IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ... 7
  • IEEE Institute of Electrical and ... 5
  • IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ... 5
  • IEEE / Institute of Electrical an... 4
  • Gaudenzio Meneghesso 3
  • IEEE Computer Society 2
Rivista
  • PROCEEDINGS OF SPIE, THE INTERNAT... 10
  • IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PH... 6
  • PROCEEDINGS OF THE EUROPEAN SOLID... 5
  • AIP CONFERENCE PROCEEDINGS 2
  • PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL ... 1
Serie
  • PROCEEDINGS OF SPIE, THE INTERNAT... 32
  • IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PH... 20
  • TECHNICAL DIGEST - INTERNATIONAL ... 4
  • PROCEEDINGS OF THE ... INTERNATIO... 1
  • PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL ... 1
Keyword
  • reliability 172
  • HEMT 157
  • degradation 153
  • Gallium Nitride 142
  • Charge Trapping 66
  • light emitting diodes 66
  • InGaN 50
  • Electrostatic discharge (ESD) 37
  • MEMS 32
  • Gallium Arsenide 31
Lingua
  • eng 674
  • ita 4
  • jpn 1
Accesso al fulltext
  • no fulltext 695
  • open 1